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龙图腾网获悉中科(深圳)无线半导体有限公司申请的专利一种金字塔Micro LED的GaN驱动电路及其器件制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120659377B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511157187.0，技术领域涉及：H10D84/80；该发明授权一种金字塔Micro LED的GaN驱动电路及其器件制备方法是由张静;麻胜恒;汪连山;陈福鑫;赵柏聿设计研发完成，并于2025-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种金字塔Micro LED的GaN驱动电路及其器件制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种金字塔MicroLED的GaN驱动电路及其器件制备方法，属于集成电路器件技术领域。该结构包括阵列排布的micro‑LED发光单元和每个micro‑LED发光单元对应连接的一个GaNHEMT驱动电路；GaNHEMT驱动电路包括多个GaNHEMT器件和存储电容，采用电流镜结构与快速开关网络实现恒流驱动和快速响应。GaNHEMT器件共用衬底和外延层，通过离子注入实现电气隔离，源漏极、栅介质等协同设计确保高性能。本发明实现了高开关频率、低导通电阻和快速响应，显著提升了micro‑LED的驱动性能与可靠性。

本发明授权一种金字塔Micro LED的GaN驱动电路及其器件制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金字塔MicroLED的GaN驱动电路，其特征在于，包括阵列排布的micro-LED发光单元300和每个micro-LED发光单元300对应连接的一个GaNHEMT驱动电路200；所述GaNHEMT驱动电路200包括驱动开关管DT1、参考开关管DT2、快速开关管TS1-TS4、存储电容Cst；驱动开关管DT1的栅极和参考开关管DT2的栅极相连构成电流镜结构，且驱动开关管DT1与参考开关管DT2沟道宽长成比例关系；快速开关管TS1的栅极与快速开关管TS2的栅极相连，快速开关管TS1的一个源漏极与驱动开关管DT1的栅极相连，快速开关管TS1的另一个源漏极与快速开关管TS4的一个源漏极相连并连接电路端口Vdrv，快速开关管TS4的栅极连接电路端口EN，快速开关管TS4的另一个源漏极与快速开关管TS3的一个源漏极相连并连接micro-LED发光单元300的n电极，快速开关管TS3的栅极连接电路端口ELVDD，快速开关管TS3的另一个源漏极与参考开关管DT2的一个源漏极相连，参考开关管DT2的另一个源漏极与驱动开关管DT1的一个源漏极相连后接地，驱动开关管DT1的另一个源漏极与快速开关管TS2的一个源漏极相连，快速开关管TS2的另一个源漏极连接电路端口Idrv，存储电容Cst的一端与驱动开关管DT1的栅极相连且另一端接地，micro-LED发光单元300的p电极连接电路端口ELVDD； 所述驱动开关管DT1通过调节其栅压Vg控制输出电流，向micro-LED发光单元300提供恒流驱动，从而控制micro-LED发光单元300的稳定发光； 所述快速开关管TS1与快速开关管TS2负责提前将栅压Vg设置到目标值，起到电路开关作用； 所述快速开关管TS3是micro-LED发光单元300的主控开关，用于控制micro-LED发光单元300的关断；当快速开关管TS3导通时，驱动开关管DT1通过存储电容Cst的电压Vg调节实现micro-LED发光单元300的恒流驱动，micro-LED发光单元300点亮；当快速开关管TS3关断时，micro-LED发光单元300电流被切断，且由于存储电容Cst的电压Vg对驱动开关管DT1的调控实现micro-LED发光单元300快速熄灭； 所述快速开关管TS4充当micro-LED发光单元300快速放电通道的开关管，当快速开关管TS3关闭后快速开关管TS4迅速导通，为micro-LED发光单元300的寄生电容提供低阻放电通道，通过快速泄放电荷消掉micro-LED发光单元300残影。

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