粤芯半导体技术股份有限公司欧阳文森获国家专利权
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龙图腾网获悉粤芯半导体技术股份有限公司申请的专利一种硅基锗光电探测器及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120676752B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511179150.8，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种硅基锗光电探测器及制作方法是由欧阳文森;王胜林;黄珊;余威明设计研发完成，并于2025-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅基锗光电探测器及制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种硅基锗光电探测器及制作方法，在硅衬底中形成V型槽，沉积锗外延层时，位错可以沿着V型槽斜面向外滑移，使位错远离有源光吸收区，能够降低光电探测器的暗电流，提升光电探测器性能；并且，对V型槽的尖端底部圆弧化，能够防止尖端底部对高温可靠性测试产生不良影响，极大程度提高光电探测器的可靠性。
本发明授权一种硅基锗光电探测器及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种硅基锗光电探测器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：提供硅衬底，于所述硅衬底中形成第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区，于所述硅衬底上形成层叠的热氧化硅层和沉积氧化硅层； S2：形成垂向凹槽，所述垂向凹槽由所述沉积氧化硅层上表面延伸至所述硅衬底中； S3：将形成所述垂向凹槽后的结构置于沉积腔室中，于所述沉积腔室中通入H2，在H2气氛下，烘烤第一预设时间； S4：于所述沉积腔室中通入H2和HCl，在H2气氛和HCl气氛下，烘烤第二预设时间，使位于所述硅衬底中的所述垂向凹槽转化为V型槽； S5：于所述沉积腔室中通入H2，在H2气氛下，烘烤第三预设时间，使所述V型槽圆弧化，圆弧化的所述V型槽和位于所述V型槽上方的所述垂向凹槽共同构成沉积凹槽； S6：采用选择性外延生长法于所述沉积凹槽中形成锗外延层，所述锗外延层的上表面为弧形面，所述锗外延层的一侧和所述第一导电类型掺杂区电连接，所述锗外延层的另一侧和所述第二导电类型掺杂区电连接。
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