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龙图腾网获悉吉林大学申请的专利基于关键结构因子调控的自组装层状高熵氮化物的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120700454B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511150971.9，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权基于关键结构因子调控的自组装层状高熵氮化物的方法是由张侃;樊治;郑耀磊;单亦凡;文懋;郑伟涛设计研发完成，并于2025-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于关键结构因子调控的自组装层状高熵氮化物的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于关键结构因子调控的自组装层状高熵氮化物的方法，涉及磁控溅射技术领域，包括靶材和基片的选择，靶材和基片的安装和磁控共溅射工艺的镀膜步骤。本发明先利用强氮化物元素钛、锆、铌、钽构筑室温下稳定的高熵氮化物结构，同时基于关键结构因子挑选的以Ce元素为代表的一类镧系稀土元素可以打破原高熵氮化物的单相固溶体结构，在室温沉积时在材料内部激发层状结构，材料可以在室温下实现无需交替沉积、一步成多层结构，即自组装纳米层状结构，在保持原高熵氮化物硬度的基础上大大提升了其韧性，并且通过设置不同的射频电源功率实现了对Ce元素原子数百分含量的控制，制备方法简单方便，易于操作，耗能低，效率高。

本发明授权基于关键结构因子调控的自组装层状高熵氮化物的方法在权利要求书中公布了：1.基于关键结构因子调控的自组装层状高熵氮化物的方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1，靶材和基片的选择，靶材为混熔的钛锆铌钽靶以及铈靶，基片为单面抛光单晶硅，抛光面取向为110晶面； 步骤2，钛锆铌钽靶和铈靶安装在与水平方向呈45°的靶位上，钛锆铌钽靶连接直流电源，铈靶连接射频电源，将基片安装在磁控溅射设备的样品台上，将靶基距调整为7cm，通过真空系统对镀膜室抽真空，使真空度保持在6×10-4Pa以下； 步骤3，镀膜，先向镀膜室中通入氩气和氮气，氩气气体流量为60sccm，氮气气体流量为20sccm，总压强为0.8Pa，再关闭磁控溅射设备的靶挡板和样品挡板，开启与钛锆铌钽靶连接的直流电源以及与铈靶连接的射频电源，进行预溅射，5min后，再打开靶挡板和样品挡板，并开启样品台自转，通过电源向基片施加-120V的负偏压，进行共溅射，共溅射3～4小时后获得层状高熵氮化物涂层； 混熔的钛锆铌钽靶由纯度为99.9%的钛、锆、铌、钽四种金属按1：1：1：1的原子百分比熔炼而成，铈靶为99.9%的高纯铈金属，钛锆铌钽靶和铈靶的尺寸均为直径60mm、厚度3～5mm； 步骤3中进行共溅射时，直流电源功率为100W，射频电源功率为15W～60W。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人吉林大学，其通讯地址为：130012 吉林省长春市朝阳区前进大街2699号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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