之江实验室刘冠东获国家专利权
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龙图腾网获悉之江实验室申请的专利基于垂直微镜的光电流芯片的晶上集成与数字制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120703908B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511197133.7，技术领域涉及：G02B6/13；该发明授权基于垂直微镜的光电流芯片的晶上集成与数字制造方法是由刘冠东;张富军;朱洪力;胡辰;余炜;穆堂杰;洪悦;贾志立设计研发完成，并于2025-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于垂直微镜的光电流芯片的晶上集成与数字制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了基于垂直微镜的光电流芯片的晶上集成与数字制造方法，包括在可驱动的微电子机械系统结构上制造基于小于1纳米粗糙度的垂直微镜的无源光学器件和有源光学器件，在水平方向上组成参数可调的具有计算、传感、通信等功能的光学芯片；在硅晶圆的顶部、底部、侧壁中的至少一个表面，采用三维‑二维图形化方法制造集成电路，得到凹凸型三维集成电路，即电学芯片；将若干片凹凸型三维集成电路通过微凸点和键合环进行键合形成微流道，若干微流道之间通过通孔连接，形成微流控单元；进行光学芯片、电学芯片及微流控单元的晶上集成，形成实现计算、传感、通信、信号处理、数据存储等复杂功能处理能力的包含基于垂直微镜的光电流芯片的晶上系统。
本发明授权基于垂直微镜的光电流芯片的晶上集成与数字制造方法在权利要求书中公布了：1.一种基于垂直微镜的光电流芯片的晶上集成方法，其特征在于，包括： 在可驱动的微电子机械系统结构上，基于深刻蚀、侧壁平滑及三维-二维图形化方法，制造基于垂直微镜的无源光学器件和有源光学器件，构成光学芯片； 在硅晶圆的顶部、底部、侧壁中的至少一个表面，采用三维-二维图形化方法制造集成电路，得到凹凸型三维集成电路，即电学芯片； 将若干片凹凸型三维集成电路通过微凸点和键合环进行键合形成微流道，若干微流道之间通过通孔连接，形成微流控单元； 进行所述光学芯片、电学芯片及微流控单元的晶上集成，形成包含基于垂直微镜的光电流芯片的晶上系统。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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