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龙图腾网获悉苏州敏芯微电子技术股份有限公司申请的专利一种MEMS传感器及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120721253B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511196946.4，技术领域涉及：G01L1/14；该发明授权一种MEMS传感器及电子设备是由李刚;刘青;翁国军设计研发完成，并于2025-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MEMS传感器及电子设备在说明书摘要公布了：本申请涉及一种MEMS传感器及电子设备，其中MEMS传感器包括开设有背腔的基底和第一检测单元。第一检测单元包括依次层叠设置的第一绝缘膜、第一电极层、第二绝缘膜以及第一支撑柱。第一电极层上间隔开设第一镂空槽；第一支撑柱穿过对应的第一镂空槽，且两端分别与第一电极层两侧的绝缘膜连接；其中，各第一支撑柱的两端之间设有第一电极部，第一电极部的侧壁与对应的第一镂空槽的内壁之间具有间距，并共同构成了检测电容。本申请将机械灵敏度与电学灵敏度解耦，在第一电极层开设多个第一镂空槽，并与对应第一支撑柱形成检测电容阵列并联差分输出，抑制了大挠度和复杂载荷下高阶畸变，实现宽动态范围内高灵敏度、高线性及长期可靠性。

本发明授权一种MEMS传感器及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种MEMS传感器，其特征在于，包括： 基底1，一侧表面开设有背腔11； 第一检测单元2，其包括： 第一绝缘膜21，位于所述基底1开设有背腔11的一侧表面； 第一电极层22，位于所述第一绝缘膜21背离所述基底1的一侧表面，与所述第一绝缘膜21相对而设，且具有间隔；所述第一电极层22上间隔开设多个第一镂空槽221； 第二绝缘膜23，位于所述第一电极层22背离所述第一绝缘膜21的一侧表面，与所述第一电极层22相对设置，且具有间隔； 多个第一支撑柱24，所述第一支撑柱24穿过对应的所述第一镂空槽221，且两端分别与所述第一绝缘膜21和所述第二绝缘膜23连接； 其中，各所述第一支撑柱24的两端之间设有第一电极部25，所述第一电极部25的侧壁与对应的所述第一镂空槽221的内壁之间具有间距，并共同构成了检测电容；在所述第一绝缘膜21和或所述第二绝缘膜23振动以带动所述第一支撑柱24在所述基底1的厚度方向上运动时，在平行于所述基底1表面的方向上，所述第一电极部25的投影与所述第一电极层22的投影至少部分重叠。

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