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龙图腾网获悉金凤实验室申请的专利一种面向大面阵图像传感器的LDO低功耗瞬态增强电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120723006B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511150527.7，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种面向大面阵图像传感器的LDO低功耗瞬态增强电路是由唐枋设计研发完成，并于2025-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种面向大面阵图像传感器的LDO低功耗瞬态增强电路在说明书摘要公布了：本发明涉及一种面向大面阵图像传感器的LDO低功耗瞬态增强电路，属于集成电路设计领域。该电路包括过冲电压放大模块、下冲电压放大模块和调整模块；过冲电压放大模块在负载电流由重载突变到轻载时发挥作用，将输出端的瞬态过冲电压放大，并将放大后的电压传送至调整模块，然后调整模块开启，对功率管栅极进行充电，增强功率管栅极摆率。下冲电压放大模块在负载电流由轻载突变到重载时发挥作用，将输出端的瞬态下冲电压放大，并将放大后的电压传送至调整模块，然后调整模块开启，对功率管栅极进行放电，增强功率管栅极摆率。调整模块在负载电流稳定时处于关断状态。本发明改善瞬态响应特性的同时实现低功耗设计。

本发明授权一种面向大面阵图像传感器的LDO低功耗瞬态增强电路在权利要求书中公布了：1.一种面向大面阵图像传感器的LDO低功耗瞬态增强电路，其特征在于，包括过冲电压放大模块、下冲电压放大模块和调整模块；所述过冲电压放大模块和下冲电压放大模块的输入端与LDO输出端连接，输出端与调整模块相连；所述调整模块具有两个输入端，第一输入端与过冲电压放大模块连接，第二输入端与下冲电压放大模块连接，输出端与LDO功率管栅极连接； 所述过冲电压放大模块在负载电流由重载突变到轻载时发挥作用，将输出端的瞬态过冲电压放大，并将放大后的电压传送至调整模块，然后调整模块开启，对LDO功率管栅极进行充电，增强LDO功率管栅极摆率；所述过冲电压放大模块包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第一电容C1、第一电阻R1和第三电阻R3；第一MOS管M1的栅极通过第一电容C1与LDO输出端连接，还通过第一电阻R1连接至参考电压端VREF；第一MOS管M1的源极通过第三电阻R3接地；第二MOS管M2的漏极与第一MOS管M1的漏极连接，栅极连接至电池电压VBP，源极与调整模块和LDO输出端连接； 所述下冲电压放大模块在负载电流由轻载突变到重载时发挥作用，将输出端的瞬态下冲电压放大，并将放大后的电压传送至调整模块，然后调整模块开启，对LDO功率管栅极进行放电，增强LDO功率管栅极摆率；所述下冲电压放大模块包括第四MOS管M4~第七MOS管M7、第二电阻R2和第二电容C2；第四MOS管M4的源极与LDO输出端连接，栅极和漏极均与第五MOS管M5的源极连接；第五MOS管M5的栅极和漏极均与第六MOS管M6的源极连接；第六MOS管M6的栅极与第七MOS管M7的栅极连接，还通过第二电阻R2连接至参考电压端VREF，还通过第二电容C2与LDO输出端连接；第七MOS管M7的漏极与第六MOS管M6的漏极和调整模块连接，源极接地； 所述调整模块在负载电流稳定时处于关断状态，不影响LDO正常工作，仅在负载出现跳变时对LDO功率管栅极进行充放电，增强LDO功率管栅极摆率；所述调整模块包括第三MOS管M3、第八MOS管M8、第四电阻R4和第五电阻R5；第三MOS管M3源极与LDO输出端连接，栅极与过冲电压放大模块的第二MOS管M2的漏极连接，漏极与LDO功率管栅极连接；第八MOS管M8源极通过第四电阻R4接地，栅极与下冲电压放大模块的第七MOS管M7的漏极连接，漏极通过第五电阻R5与LDO功率管栅极连接。

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