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龙图腾网获悉无锡中微爱芯电子有限公司申请的专利一种带隙基准电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120723012B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511225377.1，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种带隙基准电路是由罗晟;陈红梅;李文嘉;王峰;刘蕊;谭岳鑫;陈峰;刘伟豪;徐衅程设计研发完成，并于2025-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种带隙基准电路在说明书摘要公布了：本发明公开一种带隙基准电路，包括带隙基准核心电路模块，钳位运放反馈电路的两个输入端分别输入正负温度系数电压产生电路输出的钳位电压VA和钳位电压VB，钳位运放反馈电路的输出端输出零温度系数基准电压VREF，并将基准电压VREF输入至所述正负温度系数电压产生电路的输入端；比例放大器模块，通过电压负反馈型运放电路对基准电压VREF按比例放大后输出基准电压值VX，通过分压网络电阻将基准电压值VX分压获得不同电压值的偏置电压Vb；LDO电路模块，通过电流负反馈型运放电路将输出的节点偏置电压VS1钳位到自身的两个输入端，并产生基准电流IREF，本发明提升了PSRR，适用于低电压、高噪声环境。

本发明授权一种带隙基准电路在权利要求书中公布了：1.一种带隙基准电路，其特征在于，包括： 带隙基准核心电路模块，包括：钳位运放反馈电路和正负温度系数电压产生电路；所述钳位运放反馈电路的两个输入端分别输入所述正负温度系数电压产生电路输出的钳位电压VA和钳位电压VB，所述钳位运放反馈电路的输出端输出零温度系数基准电压VREF，并将所述基准电压VREF输入至所述正负温度系数电压产生电路的输入端； 比例放大器模块，通过电压负反馈型运放电路对所述基准电压VREF按比例放大后输出基准电压值VX，通过分压网络电阻将所述基准电压值VX分压获得不同电压值的偏置电压Vb； LDO电路模块，通过电流负反馈型运放电路将输出的节点偏置电压VS1钳位到自身的两个输入端，并产生基准电流IREF，通过自偏置的低压共源共栅电流镜将基准电流IREF镜像复制输出，以提供芯片其他模块所需的偏置电流； 所述钳位运放反馈电路包括：MOS管Ma1~Ma7和电容Ca；所述MOS管Ma1和MOS管Ma2的栅极分别作为两个输入端以输入钳位电压VA和钳位电压VB，所述MOS管Ma1和MOS管Ma2的源极接入MOS管Ma6的漏极，所述MOS管Ma6的栅极接入偏置电压VG3，所述MOS管Ma6的源极接入偏置电压VS3，所述MOS管Ma1的漏极接入MOS管Ma3的漏极和栅极、以及MOS管Ma4的栅极，所述MOS管Ma3和MOS管Ma4的源极相连并接地，所述MOS管Ma4的漏极接入MOS管Ma2的漏极和MOS管Ma5的栅极、以及电容Ca的一端，所述电容Ca的另一端接入MOS管Ma5和MOS管Ma7的漏极并作为输出端输出基准电压VREF，所述MOS管Ma5的源极接地，所述MOS管Ma7的栅极接入偏置电压VG3，所述MOS管Ma7的源极接入偏置电压VS3； 所述比例放大器模块包括：运算放大器一和电压负反馈电路；所述运算放大器一的负输入端和输出端分别与所述电压负反馈电路相连；其中所述电压负反馈电路包括：MOS管Mb6、电阻Rb1~Rb2和电容Cb；所述MOS管Mb6的栅极和电容Cb的一端相连并作为输出端，所述MOS管Mb6的源极接入电源VCC1，所述MOS管Mb6的漏极接入电容Cb的另一端和电阻Rb1的一端，所述电阻Rb1的另一端接入接地的电阻Rb2并作为输入端输入基准电压值VX； 所述LDO电路模块包括：运算放大器二和电流负反馈电路；所述运算放大器二的输出端和负输入端分别与所述电流负反馈电路相连；其中所述电流负反馈电路包括：MOS管Mc13~Mc23和电阻Rc；所述MOS管Mc13、MOS管Mc16和MOS管Mc18的源极接入电源VCC1，所述MOS管Mc13、MOS管Mc16和MOS管Mc18的栅极互连并接入MOS管Mc14和MOS管Mc15的漏极，所述MOS管Mc13的漏极接入MOS管Mc14的源极，所述MOS管Mc16的漏极接入MOS管Mc17的源极，所述MOS管Mc18的漏极接入MOS管Mc19的源极，所述MOS管Mc14、MOS管Mc17和MOS管Mc19的栅极接入偏置电压Vb，所述MOS管Mc15的栅极作为输入端输入偏置电压VG1，所述MOS管Mc15的源极接入接地的电阻Rc并作为输出端输出节点偏置电压VS1，所述MOS管Mc17的漏极接入MOS管Mc20的漏极和栅极、MOS管Mc21和MOS管Mc22的栅极并产生偏置电压Vb1，所述MOS管Mc20的源极接入MOS管Mc21的漏极，所述MOS管Mc21的源极接地，所述MOS管Mc19的漏极接入MOS管Mc22的漏极和MOS管Mc23的栅极，所述MOS管Mc22的源极接入MOS管Mc23的漏极，所述MOS管Mc23的源极接地。

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