山西创芯光电科技有限公司文晋获国家专利权
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龙图腾网获悉山西创芯光电科技有限公司申请的专利Ⅱ类超晶格中波红外焦平面阵列芯片制作方法及红外探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120730858B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511188486.0，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权Ⅱ类超晶格中波红外焦平面阵列芯片制作方法及红外探测器是由文晋;张培峰;苏莹;冯伟;徐文艾;薛建凯设计研发完成，并于2025-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本Ⅱ类超晶格中波红外焦平面阵列芯片制作方法及红外探测器在说明书摘要公布了：本申请提供了一种Ⅱ类超晶格中波红外焦平面阵列芯片制作方法及红外探测器，属于红外焦平面阵列芯片领域；解决了现有技术台面刻蚀深度较深导致红外焦平面阵列芯片的表面漏电流较大的问题；该方法包括以下步骤：外延材料生长和清洗；硬掩膜沉积、台面光刻和刻蚀：在硬掩膜上通过光刻技术得到需要的台面图形，然后刻蚀外延材料，将外延材料刻蚀出台面图形，台面图形包括上电极区域和下电极区域，将上电极区域刻蚀到势垒层与吸收区边界，将下电极区域刻蚀到下欧姆接触层；制作金属电极；在金属电极上制作连接件与读出电路连接，完成红外焦平面阵列芯片的制作；本申请应用于Ⅱ类超晶格中波红外探测器。
本发明授权Ⅱ类超晶格中波红外焦平面阵列芯片制作方法及红外探测器在权利要求书中公布了：1.一种Ⅱ类超晶格中波红外焦平面阵列芯片制作方法，其特征在于：包括以下步骤： 步骤一：外延材料生长和清洗，其中外延材料包括自底向上的衬底、缓冲层、下欧姆接触层、吸收区、势垒层和上欧姆接触层； 步骤二：硬掩膜沉积、台面光刻和刻蚀：在硬掩膜上通过光刻技术得到需要的台面图形，然后刻蚀外延材料，将外延材料刻蚀出台面图形，台面图形包括上电极区域和下电极区域，将上电极区域刻蚀到势垒层与吸收区边界，将下电极区域刻蚀到下欧姆接触层； 步骤三：在刻蚀完台面图形的外延材料之上制作金属电极； 步骤四：在金属电极上制作连接件，通过连接件将金属电极与读出电路连接，完成红外焦平面阵列芯片的制作。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人山西创芯光电科技有限公司，其通讯地址为：030000 山西省太原市小店区南内环街16号二号厂房一层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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