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龙图腾网获悉上海谙邦半导体设备有限公司申请的专利多区控温静电吸盘和等离子体处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120749063B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511253044.X，技术领域涉及：H01L21/683；该发明授权多区控温静电吸盘和等离子体处理装置是由桂智谦;植雨宣;王兆祥;梁洁;涂乐义;仲凯;徐昕;方子豪设计研发完成，并于2025-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本多区控温静电吸盘和等离子体处理装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种多区控温静电吸盘和等离子体处理装置，该多区控温静电吸盘包括网格温控模组和径向分区温控模组中的至少一种；网格温控模组包括呈阵列设置的多个第一独立温控单元；径向分区温控模组包括多个环形的第二独立温控单元；第一独立温控单元和第二独立温控单元均包括分区可变加热结构；分区可变加热结构包括分区控制件、第一分区形变件、至少两个第一分区加热件，所述第一分区形变件包括第一中心和至少两个第一连接爪，分区控制件与第一分区形变件和第一分区加热件电连接，第一分区加热件与第一连接爪远离第一中心的端部连接。该多区控温静电吸盘用于均衡等离子体分布不均导致的局部过热区域或局部过冷区域。

本发明授权多区控温静电吸盘和等离子体处理装置在权利要求书中公布了：1.一种多区控温静电吸盘，应用于等离子体处理装置，其特征在于，所述多区控温静电吸盘包括：网格温控模组和径向分区温控模组中的至少一种； 所述网格温控模组包括呈阵列设置的多个第一独立温控单元； 所述径向分区温控模组包括多个环形的第二独立温控单元，且所述多个环形的第二独立温控单元同圆心设置； 其中，所述第一独立温控单元和第二独立温控单元均包括分区可变加热结构；所述分区可变加热结构包括分区控制件、至少两个第一分区加热件、以及第一分区形变件，所述第一分区形变件包括第一中心，以及以所述第一中心为起点朝远离所述第一中心的方向延伸的至少两个第一连接爪； 所述分区控制件与所述第一分区形变件和所述第一分区加热件电连接，用于分别控制流经所述第一分区加热件的电流和流经所述第一分区形变件的电流； 所述第一分区加热件与所述第一连接爪远离所述第一中心的端部连接；所述第一分区形变件随着流经的电流大小的变化实现温度的升高或降低，且在所述第一分区形变件温度升高或降低时发生伸长形变或缩短形变，使所述第一连接爪因伸长形变或缩短形变而带动所述第一分区加热件沿远离或靠近所述第一中心的方向运动，以增大或减小所述第一分区加热件与所述第一中心之间的间距。

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