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龙图腾网获悉西安理工大学申请的专利基于SiC MOSFET的电容隔离型驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120750336B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511248956.8，技术领域涉及：H03K17/689；该发明授权基于SiC MOSFET的电容隔离型驱动电路是由杨媛;姚晨宇;赵天阳;吕佳慧;张静怡;杜兴锋;杨笛;刘卫;茹逍设计研发完成，并于2025-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于SiC MOSFET的电容隔离型驱动电路在说明书摘要公布了：本发明公开了基于SiCMOSFET的电容隔离型驱动电路，包括开关键控调制电路，开关键控调制电路的输出端与三阶微分隔离传输电路的输入端连接，三阶微分隔离传输电路的输出端与选频放大器电路的输入端连接，选频放大器电路的输出端与解调电路的输入端连接。基于SiCMOSFET的电容隔离型驱动电路，本发明将三阶微分电路与隔离电容相结合，精准利用微分电路对高频信号的快速响应与频率选择特性，对输入信号进行优化处理，强化信号耦合效率；同时通过独特的电路拓扑设计，有效抑制共模瞬态电应力产生的干扰信号，极大增强了系统抗干扰能力，成功突破传统设计在共模瞬态抗扰度方面的瓶颈。

本发明授权基于SiC MOSFET的电容隔离型驱动电路在权利要求书中公布了：1.基于SiCMOSFET的电容隔离型驱动电路，其特征在于，包括开关键控调制电路1，所述开关键控调制电路1的输出端与三阶微分隔离传输电路2的输入端连接，所述三阶微分隔离传输电路2的输出端与选频放大器电路3的输入端连接，所述选频放大器电路3的输出端与解调电路4的输入端连接； 所述开关键控调制电路1包括一号差分比较器，所述一号差分比较器的输出端和与门NAND1的输入端连接，所述与门NAND1的输出端与一号反相器的输入端连接，所述一号反相器的输出端与二号反相器的输入端连接，所述二号反相器的输出端与三号反相器的输入端连接；所述一号反相器、二号反相器、三号反相器尺寸依次递增； 所述开关键控调制电路1还包括二号差分比较器，所述二号差分比较器的输出端和与门NAND2的输入端连接，所述与门NAND2的输出端与四号反相器的输入端连接，所述四号反相器的输出端与五号反相器的输入端连接，所述五号反相器的输出端与六号反相器的输入端连接；所述四号反相器、五号反相器、六号反相器尺寸依次递增； 所述与门NAND1和与门NAND2的输入端连接有控制电压信号VIN； 所述三阶微分隔离传输电路2包括电容CISO1，所述电容CISO1的上极板与三号反相器的输出端连接，所述电容CISO1的下极板与电容CISO2的上极板连接，所述电容CISO2的下极板与电阻R0一端、电容C0一端连接，所述电阻R0另一端接地，所述电容C0另一端与电阻R1一端、电容C1一端连接，所述电阻R1另一端接地，所述电容C1另一端与电阻R2一端连接，所述电阻R2另一端接地，所述电容C1与电阻R2的公共端作为输出端； 所述三阶微分隔离传输电路2包括电容CISO3，所述电容CISO3的上极板与六号反相器的输出端连接，所述电容CISO3的下极板与电容CISO4的上极板连接，所述电容CISO4的下极板与电阻R3一端、电容C2一端连接，所述电阻R3另一端接地，所述电容C2另一端与电阻R4一端、电容C3一端连接，所述电阻R4另一端接地，所述电容C3另一端与电阻R5一端连接，所述电阻R5另一端接地，所述电容C3与电阻R5的公共端作为输出端。

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