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龙图腾网获悉罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司申请的专利一种Micro LED封装结构的转移方法及一种Micro LED显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120751859B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511258600.2，技术领域涉及：H10H29/03；该发明授权一种Micro LED封装结构的转移方法及一种Micro LED显示装置是由瞿澄;智婷;季佳伟;玉程文设计研发完成，并于2025-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Micro LED封装结构的转移方法及一种Micro LED显示装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种MicroLED封装结构的转移方法及一种MicroLED显示装置，涉及半导体显示技术领域。在本发明的MicroLED封装结构的转移方法中，通过设置平坦化处理后的封装层的厚度与所述MicroLED单元的高度的比值大于10，进而在每个所述MicroLED封装阵列的所述封装层中形成四个对称分布的凹腔，所述凹腔的深度与所述封装层的厚度的比值为0.3‑0.5，相邻所述凹腔之间的间距为800微米‑3000微米，通过上述工艺步骤，可以形成大尺寸的磁性构件，简化了磁性构件的制备工艺，且可以提高磁性构件的磁吸力。

本发明授权一种Micro LED封装结构的转移方法及一种Micro LED显示装置在权利要求书中公布了：1.一种MicroLED封装结构的转移方法，其特征在于：所述MicroLED封装结构的转移方法包括以下步骤： 提供一半导体发光晶圆，对所述半导体发光晶圆进行划片处理，以形成多个MicroLED单元，每个所述MicroLED单元包括衬底、第一半导体层、量子阱发光层以及第二半导体层； 提供一承载基板，所述承载基板表面具有多个呈阵列排布的第一凹槽，将多个MicroLED单元分别设置在相应的所述第一凹槽中，使得每个所述MicroLED单元的所述衬底的一部分嵌入到所述第一凹槽中； 接着在所述承载基板上形成封装层，所述封装层封装多个所述MicroLED单元，然后剥离所述承载基板，并进行平坦化处理，以露出每个所述MicroLED单元的所述第一半导体层，且使得平坦化处理后的封装层的厚度与所述MicroLED单元的高度的比值大于10； 接着对所述封装层进行切割处理，以形成多个相互分离的MicroLED封装阵列，每个所述MicroLED封装阵列包括N×N个阵列排布的MicroLED单元，其中，N≥30； 接着在每个所述MicroLED封装阵列的所述封装层中形成四个对称分布的凹腔，所述凹腔的深度与所述封装层的厚度的比值为0.3-0.5，相邻所述凹腔之间的间距为800微米-3000微米； 接着在所述凹腔中形成磁性构件，所述磁性构件为含有磁性填料的树脂材料； 提供一转移基板，将形成有磁性构件的所述MicroLED封装阵列设置在所述转移基板上， 提供一驱动基板，接着将所述转移基板上的所述MicroLED封装阵列转移至所述驱动基板。

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