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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利一种金属通孔的制造方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120767255B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511279222.6，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种金属通孔的制造方法及半导体结构是由胥沛雯;王士京;王兆祥;梁洁;吴倩;仲凯设计研发完成，并于2025-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种金属通孔的制造方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本申请公开了一种金属通孔的制造方法及半导体结构，方法包括：执行有掩膜的第一等离子体刻蚀工艺，对衬底表面进行周期性循环刻蚀形成第一通孔；执行无掩膜的第二等离子体刻蚀工艺，将第一通孔刻蚀成第二通孔，第二等离子体刻蚀工艺依次包括第一刻蚀阶段、第二刻蚀阶段和第三刻蚀阶段，第一刻蚀阶段用于在第一通孔顶部形成侧壁缺口，第二刻蚀阶段用于使顶部形貌圆滑化和侧壁光滑化，第三刻蚀阶段用于形成相比第一通孔孔口宽度更大和侧壁倾斜角度更小的第二通孔；对形成的第二通孔进行填充成金属通孔。本申请能够制造出具有较小倾斜角度的通孔，可避免填充不完全缺陷，满足了高性能器件对电气连接和散热等方面的需求。

本发明授权一种金属通孔的制造方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种金属通孔的制造方法，其特征在于，包括： 执行有掩膜的第一等离子体刻蚀工艺，对衬底的一侧表面进行周期性循环刻蚀，在所述衬底中形成第一通孔，所述第一通孔具有第一孔口宽度和第一侧壁倾斜角度； 执行无掩膜的第二等离子体刻蚀工艺，对所述第一通孔的侧壁进行刻蚀，将所述第一通孔刻蚀成第二通孔；所述第二等离子体刻蚀工艺包括依次衔接的第一刻蚀阶段、第二刻蚀阶段和第三刻蚀阶段，所述第一刻蚀阶段使用第一刻蚀气体和第一压力，以在所述第一通孔的顶部形成侧壁缺口，所述第二刻蚀阶段使用第二刻蚀气体和第二压力，以使所述侧壁缺口处的顶部形貌圆滑化和使所述第一通孔的侧壁光滑化，所述第三刻蚀阶段使用第三刻蚀气体和第三压力，以形成具有第二孔口宽度和第二侧壁倾斜角度的所述第二通孔；所述第二孔口宽度大于所述第一孔口宽度，所述第二侧壁倾斜角度小于所述第一侧壁倾斜角度；所述第一刻蚀气体、所述第二刻蚀气体和所述第三刻蚀气体各不相同，所述第一压力、所述第二压力和所述第三压力依次增大； 对所述第二通孔进行金属填充，形成金属通孔。

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