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龙图腾网获悉罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司申请的专利一种发光二极管芯片及其制备方法、LED封装体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120786993B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511222929.3，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种发光二极管芯片及其制备方法、LED封装体是由瞿澄;陈文娟;季佳伟;陈凤设计研发完成，并于2025-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种发光二极管芯片及其制备方法、LED封装体在说明书摘要公布了：本发明公开了一种发光二极管芯片及其制备方法、LED封装体，所述发光二极管芯片包括衬底以及位于所述衬底上的外延功能层，所述发光二极管芯片的侧面包括交替排列的第一梯形沟槽和第二梯形沟槽，所述第一梯形沟槽的底面和侧壁的表面粗糙度大于所述第二梯形沟槽的底面和侧壁的表面粗糙度，进而在后续的封装工艺中，封装材料可以嵌入到相应的所述第一梯形沟槽和所述第二梯形沟槽中，大大提高了封装层与发光二极管芯片的结合稳定性，且发光二极管芯片的侧面包括交替设置的所述第一梯形沟槽和所述第二梯形沟槽，进而可以扩展发光二极管芯片的出光角度，且提高发光二极管芯片的出光效率。

本发明授权一种发光二极管芯片及其制备方法、LED封装体在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：所述发光二极管芯片的制备方法包括以下步骤： 提供一半导体发光晶圆，所述半导体发光晶圆包括多个呈陈列排布的发光二极管芯片区以及位于任意相邻发光二极管芯片区之间的切割区域，所述半导体发光晶圆包括衬底以及位于所述衬底上的外延功能层； 在所述半导体发光晶圆的所述切割区域形成多个分离设置的开口； 沿着所述切割区域对所述半导体发光晶圆进行切割处理，以形成多个相互分离的发光二极管芯片，使得每个所述发光二极管芯片的侧面具备多个平行排列的凹槽，每个所述发光二极管芯片包括上表面和下表面； 从所述发光二极管芯片的上表面对一部分的所述凹槽进行第一刻蚀处理，以形成第一梯形沟槽； 接着从所述发光二极管芯片的下表面对其余部分的所述凹槽进行第二刻蚀处理，以形成第二梯形沟槽，其中，所述第一梯形沟槽和所述第二梯形沟槽交替设置； 接着对所述第一梯形沟槽的底面和侧壁进行第一激光处理，并对所述第二梯形沟槽的底面和侧壁进行第二激光处理，使得所述第一梯形沟槽的底面和侧壁的表面粗糙度大于所述第二梯形沟槽的底面和侧壁的表面粗糙度。

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