意法半导体国际公司C·扎费罗尼获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体国际公司申请的专利装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223509654U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422414645.1，技术领域涉及：B81B7/00；该实用新型装置是由C·扎费罗尼;A·比里兹;A·梅里纳古塔多设计研发完成，并于2024-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本装置在说明书摘要公布了：本公开涉及一种装置。半导体芯片被非LDS封装材料即不包括LDS‑可激活添加剂的封装材料覆盖。朝向半导体芯片穿过非LDS封装材料打开一个或多个第一通路。在非LDS封装材料上模制LDS封装材料即包括LDS‑可激活添加剂的封装材料以填充第一通路。朝向半导体芯片穿过LDS封装材料打开与第一通路对准的一个或多个第二通路。第二通路具有LDS封装材料的内衬。经由包括在第二通路中的内衬的LDS封装材料的激光直接成型处理提供用于半导体芯片的电耦合形成件。
本实用新型装置在权利要求书中公布了：1.一种装置，其特征在于，所述装置包括： 半导体芯片； 第一封装材料，所述第一封装材料覆盖所述半导体芯片； 其中，所述第一封装材料不包括激光直接成型LDS添加剂； 第一通路，所述第一通路在所述第一封装材料中朝向所述半导体芯片延伸； 第二封装材料，所述第二封装材料模制在所述第一封装材料上以及存在于所述第一通路内； 其中所述第二封装材料包括LDS添加剂； 第二通路，所述第二通路与所述第一通路对准，所述第二通路延伸穿过所述第二封装材料； 其中第二通路具有由所述第二封装材料制成的内衬；以及 用于所述半导体芯片的电耦合，所述电耦合经由在所述第二通路的所述内衬处的激光直接成型的电传导结构提供。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体国际公司，其通讯地址为：瑞士；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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