上海辰光医疗科技股份有限公司何钧获国家专利权
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龙图腾网获悉上海辰光医疗科技股份有限公司申请的专利一种用于磁共振成像射频线圈的分布式可调电容获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223513813U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422286542.1，技术领域涉及：H01G4/005；该实用新型一种用于磁共振成像射频线圈的分布式可调电容是由何钧;吴强;张家玮;沈江;张健军;漆彦辉;邓华琼设计研发完成，并于2024-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于磁共振成像射频线圈的分布式可调电容在说明书摘要公布了：本实用新型涉及磁共振成像系统技术领域，具体的说是一种用于磁共振成像射频线圈的分布式可调电容。一种用于磁共振成像射频线圈的分布式可调电容，包括上层导体、下层导体、绝缘介质层，其特征在于：上层导体位于绝缘介质层的上表面，下层导体位于绝缘介质层的下表面；上层导体和下层导体之间在垂直方向的交叠部分为有效电容，所述的有效电容的面积为有效电容值。同现有技术相比，分布式可调电容的有效电容的单元面积都相同，并且具有相同大小的电容值，这样在裁剪分布式可调电容减小电容值的时候只要数出相应数量的有效电容并剪去就可以了，而不需要每次减去很少一点多次尝试，大大节约了磁共振射频成像射频线圈的调试时间。
本实用新型一种用于磁共振成像射频线圈的分布式可调电容在权利要求书中公布了：1.一种用于磁共振成像射频线圈的分布式可调电容，包括上层导体、下层导体、绝缘介质层，其特征在于：上层导体1位于绝缘介质层2的上表面，下层导体3位于绝缘介质层2的下表面；上层导体1和下层导体3之间在垂直方向的交叠部分为有效电容4，所述的有效电容4的面积为有效电容值； 所述的上层导体1包括主电容的上层导体、有效电容的上层导体、电容连接导体上层，主电容的上层导体1-1的一侧连接有效电容的上层导体1-2，在有效电容的上层导体1-2上均布设有若干电容连接导体上层1-3； 所述的下层导体3包括主电容的下层导体、有效电容的下层导体、电容连接导体下层，主电容的下层导体3-1的一侧连接有效电容的下层导体3-2，在有效电容的下层导体3-2上均布设有若干电容连接导体下层3-3。
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