理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司;理想晶延半导体设备(浙江)有限公司孙玉婷获国家专利权
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龙图腾网获悉理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司;理想晶延半导体设备(浙江)有限公司申请的专利一种放置装置及镀膜设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223513923U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422572634.6，技术领域涉及：H01L21/673；该实用新型一种放置装置及镀膜设备是由孙玉婷;宋姜兴子;苏青峰;奚明设计研发完成，并于2024-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种放置装置及镀膜设备在说明书摘要公布了：本实用新型涉及光伏技术领域，提供一种放置装置及镀膜设备。放置装置适于在高温镀膜工艺中放置电池片，放置装置包括阻隔片和盒体；阻隔片适于与电池片依次间隔堆叠，使得相邻电池片之间相互隔离；盒体具有放置腔，放置腔一侧开设有开口，放置腔内适于堆叠放置阻隔片和电池片，且开口处适于露出电池片的切割面。镀膜设备包括反应腔室、放置装置、夹持设备和电池片。本实用新型的一种放置装置及镀膜设备，盒体的放置腔内适于堆叠放置阻隔片和电池片，阻隔片设置于相邻电池片之间，使得相邻电池片之间相互隔离且无直接接触，显著减少电池片在切割面镀膜时的粘片和划片情况，降低了碎片率和生产成本。
本实用新型一种放置装置及镀膜设备在权利要求书中公布了：1.一种放置装置，其特征在于，所述放置装置适于在高温镀膜工艺中放置电池片，所述放置装置包括阻隔片和盒体； 所述阻隔片适于与所述电池片依次间隔堆叠，使得相邻所述电池片之间相互隔离； 所述盒体具有放置腔，所述放置腔一侧开设有开口，所述放置腔内适于堆叠放置所述阻隔片和所述电池片，且所述开口处适于露出所述电池片的切割面； 所述阻隔片为耐高温材料，所述阻隔片的耐热温度为100°-500°。
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