甬矽半导体(宁波)有限公司陶毅获国家专利权
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龙图腾网获悉甬矽半导体(宁波)有限公司申请的专利一种高散热封装结构及半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223513954U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422382572.2，技术领域涉及：H01L23/367；该实用新型一种高散热封装结构及半导体器件是由陶毅;张超;张成;韩新设计研发完成，并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高散热封装结构及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种高散热封装结构及半导体器件，涉及半导体技术领域。该高散热封装结构包括：基板和设置在基板上的芯片，芯片背离基板的一侧设有散热片和金属海绵，金属海绵的熔点高于散热片的熔点，金属海绵环绕并包裹散热片，基板上还设有散热盖，散热盖罩设在芯片外，散热片和金属海绵背离芯片的表面分别与散热盖的内表面导热连接。该高散热封装结构采用金属海绵环绕并包裹散热片，金属海绵能够将熔化的散热片吸收，从而防止散热片外溢，吸收了熔融的散热片的金属海绵仍旧具有较好的导热性能，故该高散热封装结构能够有效提高芯片的散热效果。金属海绵较高的延展性使得散热盖的安装高度控制更加容易，也使金属海绵与散热片之间的结合更加紧密。
本实用新型一种高散热封装结构及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种高散热封装结构，其特征在于，包括：基板和设置在所述基板上的芯片，所述芯片背离所述基板的一侧设有散热片和金属海绵，所述金属海绵的熔点高于所述散热片的熔点，所述金属海绵环绕并包裹所述散热片，所述基板上还设有散热盖，所述散热盖罩设在所述芯片外，所述散热片和所述金属海绵背离所述芯片的表面分别与所述散热盖的内表面贴合。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人甬矽半导体(宁波)有限公司，其通讯地址为：315400 浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园滨海大道60号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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