西安交通大学朱天飞获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种微通道散热结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223513955U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422382968.7，技术领域涉及：H01L23/367；该实用新型一种微通道散热结构是由朱天飞;刘彬彬;王宏兴设计研发完成，并于2024-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种微通道散热结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种微通道散热结构，微通道散热结构包括：衬底层、金刚石层、器件层、微通道，金刚石层生长于衬底层的一面，金刚石层沿金刚石层的厚度方向贯通开设有第一缝隙，第一缝隙用于供刻蚀物质进入衬底层；微通道设置于衬底层内，通过对衬底层各向同性刻蚀获得微通道；器件层生长于衬底层的另一面。本申请的微通道散热结构稳定性高，同时具有低的热阻，还通过金刚石层开设有第一缝隙，刻蚀物质经由第一缝隙进入衬底层，从而对衬底层各向同性刻蚀获得微通道，能够保护器件层不被破坏，不会影响器件层的质量，能够进一步保障器件层电子器件不受微通道制备过程中引起的电学性能退化的影响。
本实用新型一种微通道散热结构在权利要求书中公布了：1.一种微通道散热结构，其特征在于，所述微通道散热结构包括： 衬底层； 金刚石层，所述金刚石层生长于所述衬底层的一面，所述金刚石层沿所述金刚石层的厚度方向贯通开设有第一缝隙，所述第一缝隙用于供刻蚀物质进入所述衬底层； 微通道，设置于所述衬底层内，通过对所述衬底层各向同性刻蚀获得所述微通道； 器件层，所述器件层生长于所述衬底层的另一面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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