Document
拖动滑块完成拼图
个人中心

预订订单
商城订单
发布专利 发布成果 人才入驻 发布商标 发布需求

请提出您的宝贵建议,有机会获取IP积分或其他奖励

投诉建议

在线咨询

联系我们

龙图腾公众号
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
当前位置 : 首页 > 专利喜报 > 意法半导体国际公司M·阿克巴尔获国家专利权

意法半导体国际公司M·阿克巴尔获国家专利权

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

龙图腾网获悉意法半导体国际公司申请的专利集成电路获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223515234U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422675396.1,技术领域涉及:H10B41/30;该实用新型集成电路是由M·阿克巴尔;F·梅鲁尔;A·雷尼耶;F·拉罗萨设计研发完成,并于2024-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

集成电路在说明书摘要公布了:本公开的实施例涉及集成电路。集成电路包括半导体衬底和至少一个存储器单元,至少一个存储器单元被设置有掩埋在衬底中的垂直栅极选择晶体管、以及浮置栅极状态晶体管。浮置栅极状态晶体管覆盖衬底的由横向隔离区域界定的第一有源区域和第二有源区域。存储器单元包括在所掩埋的晶体管的垂直栅极的侧壁与第二有源区域之间的横向隔离区域厚度在宽度上尺寸。

本实用新型集成电路在权利要求书中公布了:1.一种集成电路,其特征在于,包括: 半导体衬底;以及 存储器单元,所述存储器单元被设置有掩埋在所述衬底中的垂直栅极选择晶体管、以及浮置栅极状态晶体管,所述浮置栅极状态晶体管覆盖所述衬底的由横向隔离区域界定的第一有源区域和第二有源区域; 其中所述存储器单元包括横向隔离区域厚度,所述横向隔离区域厚度在所掩埋的晶体管的所述垂直栅极的侧壁与所述第二有源区域之间。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体国际公司,其通讯地址为:瑞士日内瓦;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。