晶丰芯驰(上海)半导体科技有限公司;宁波晶丰芯驰半导体材料有限公司;嘉兴晶丰芯驰半导体材料有限公司姚力军获国家专利权
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龙图腾网获悉晶丰芯驰(上海)半导体科技有限公司;宁波晶丰芯驰半导体材料有限公司;嘉兴晶丰芯驰半导体材料有限公司申请的专利一种GaN基HEMT外延片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223515236U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422415741.8，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型一种GaN基HEMT外延片是由姚力军;费磊;郭付成;边逸军;左万胜设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种GaN基HEMT外延片在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种GaN基HEMT外延片，具体涉及半导体材料领域，所述GaN基HEMT外延片包括：衬底，从下至上依次设置于衬底上的成核层、高阻层、沟道层、插入层、势垒层和盖帽层；所述高阻层包括垂直所述高阻层设置方向交替配合设置的P型AlGaN层和N型GaN层。本实用新型提供的GaN基HEMT外延片，通过设计特定的高阻层，利用特定结构的高阻层，得到高长晶质量的高阻层，有利于避免漏电，从而提升器件的耐压性能。
本实用新型一种GaN基HEMT外延片在权利要求书中公布了：1.一种GaN基HEMT外延片，其特征在于，所述GaN基HEMT外延片包括： 衬底，从下至上依次设置于衬底上的成核层、高阻层、沟道层、插入层、势垒层和盖帽层； 所述成核层为厚度为15-20nm的AlN成核层； 所述高阻层包括垂直所述高阻层设置方向交替配合设置的P型AlGaN层和N型GaN层； 所述插入层为厚度为1-1.5nm的AlN插入层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晶丰芯驰(上海)半导体科技有限公司;宁波晶丰芯驰半导体材料有限公司;嘉兴晶丰芯驰半导体材料有限公司，其通讯地址为：200135 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区云汉路979号2楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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