买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利功率半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110504304B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910414123.2，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权功率半导体器件是由B.施托伊布;H-J.舒尔策;M.C.赛费尔特设计研发完成，并于2019-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体器件在说明书摘要公布了：提出了一种功率半导体器件，包括：半导体本体，其具有耦合到第一负载端子结构的正面和耦合到第二负载端子结构的背面；正面结构，其被布置在正面处并且至少部分地被包括在半导体本体中，该正面结构限定正面有源区域，该正面有源区域被配置成用于在功率半导体器件的导通状态下、在第一负载端子结构与第二负载端子结构之间传导负载电流，其中该正面结构展现出第一横向边缘部分、第二横向边缘部分和第一拐角部分，该第一拐角部分形成第一横向边缘部分与第二横向边缘部分之间的过渡；第一导电类型的漂移区域，其被包括在半导体本体中并且被配置成用于承载负载电流；以及背面发射极区域，其被布置在半导体本体中与第二负载端子接触。

本发明授权功率半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件1，包括： -半导体本体10，其具有耦合到第一负载端子结构11的正面10-1和耦合到第二负载端子结构12的背面10-2； -正面结构14，其被布置在正面10-1处并且至少部分地被包括在半导体本体10中，所述正面结构14限定正面有源区域15，所述正面有源区域15被配置成用于在功率半导体器件1的导通状态下、在所述第一负载端子结构11与所述第二负载端子结构12之间传导负载电流， 其中所述正面结构14展现出第一横向边缘部分14-1、第二横向边缘部分14-2和第一拐角部分14-7，所述第一拐角部分14-7形成所述第一横向边缘部分14-1与所述第二横向边缘部分14-2之间的过渡； -第一导电类型的漂移区域100，其被包括在半导体本体10中并且被配置成用于承载负载电流；以及 -背面发射极区域103，其被布置在半导体本体10中与所述第二负载端子12接触，所述背面发射极区域103具有比所述漂移区域100的净掺杂剂浓度更高的净掺杂剂浓度； 其中，在垂直投影中，所述背面发射极区域103在距所述第一横向边缘部分14-1和或所述第二横向边缘部分14-2的第一距离d1处并且在距所述第一拐角部分14-7的第二距离d2处横向终止，其中所述第二距离d2大于所述第一距离d1。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英飞凌科技股份有限公司，其通讯地址为：德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－15号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。