三星电子株式会社郑秀真获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111952370B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010159988.1，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体器件是由郑秀真;金善昱;朴俊范;宋昇珉设计研发完成，并于2020-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：有源图案，所述有源图案位于衬底上，所述有源图案在平行于衬底的上表面的第一方向上延伸；栅极结构，所述栅极结构位于所述有源图案上，所述栅极结构在平行于衬底的上表面并且与所述第一方向相交的第二方向上延伸；沟道，所述沟道在垂直于衬底的上表面的第三方向上彼此间隔开，每个所述沟道延伸穿过所述栅极结构；源极漏极层，所述源极漏极层位于所述有源图案的与所述栅极结构相邻的部分上，所述源极漏极层接触所述沟道；以及牺牲图案，所述牺牲图案位于所述有源图案的所述部分在所述第二方向上的相对边缘中的每一边缘的上表面上，所述牺牲图案接触所述源极漏极层的侧壁的下部并且包含硅锗。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 有源图案，所述有源图案位于衬底上，所述有源图案在平行于所述衬底的上表面的第一方向上延伸； 栅极结构，所述栅极结构位于所述有源图案上，所述栅极结构在平行于所述衬底的所述上表面并且与所述第一方向相交的第二方向上延伸； 沟道，所述沟道在垂直于所述衬底的所述上表面的第三方向上彼此间隔开，每个所述沟道延伸穿过所述栅极结构； 源极漏极层，所述源极漏极层位于所述有源图案的与所述栅极结构相邻的部分上，所述源极漏极层接触所述沟道；以及 牺牲图案，所述牺牲图案位于所述有源图案的所述部分在所述第二方向上的相对边缘中的每一边缘的上表面上，所述牺牲图案接触所述源极漏极层的侧壁的下部并且包含硅锗。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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