意法半导体股份有限公司F·G·齐格利奥利获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利制造半导体器件的方法及对应的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112397397B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010819155.3，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权制造半导体器件的方法及对应的半导体器件是由F·G·齐格利奥利;A·平图斯;M·德赖;P·马格尼设计研发完成，并于2020-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造半导体器件的方法及对应的半导体器件在说明书摘要公布了：本公开的各实施例涉及制造半导体器件的方法及对应的半导体器件。一种制造诸如集成电路的半导体器件的方法包括将一个或多个半导体裸片布置在支撑表面上。激光直接成型材料被成型到支撑表面上，该支撑表面上布置有一个多个半导体裸片。在成型到其上布置有一个多个半导体裸片的支撑表面上的激光直接成型材料上执行激光束加工，以针对布置在支撑表面上的一个多个半导体裸片提供导电结构。设置有导电结构的一个多个半导体裸片与支撑表面分离。
本发明授权制造半导体器件的方法及对应的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种方法，包括： 将至少一个半导体裸片布置在支撑表面上； 将激光直接成型材料成型到其上布置有所述至少一个半导体裸片的所述支撑表面上； 对成型到其上布置有至少一个半导体裸片的所述支撑表面上的所述激光直接成型材料进行激光束加工，以针对布置在所述支撑表面上的所述至少一个半导体裸片提供导电结构； 形成可润湿侧面，所述可润湿侧面从与所述导电结构相对的所述激光直接成型材料的表面部分地延伸到所述激光直接成型材料中；和 将设置有所述导电结构的所述至少一个半导体裸片与所述支撑表面分离； 其中在将设置有所述导电结构的所述至少一个半导体裸片与所述支撑表面分离后，形成所述可润湿侧面被执行，并且所述形成所述可润湿侧面包括对与所述导电结构相对的所述激光直接成型材料进行激光束加工，从而在其中提供所述可润湿侧面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体股份有限公司，其通讯地址为：意大利阿格拉布里安扎；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励