松下知识产权经营株式会社樱井大辅获国家专利权
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龙图腾网获悉松下知识产权经营株式会社申请的专利半导体装置以及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112447657B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010840377.3,技术领域涉及:H01L23/498;该发明授权半导体装置以及半导体装置的制造方法是由樱井大辅;糸井清一设计研发完成,并于2020-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置以及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了:本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法,本发明的半导体装置U具有:位于多个电极垫2上的凸块5、覆盖凸块5的抗蚀剂8、和在抗蚀剂8的内部形成的将凸块5与抗蚀剂8的外部连通的空气的排孔10。由此,提供能够缓和对具有脆弱的绝缘膜11的半导体装置U施加的应力的半导体装置U。
本发明授权半导体装置以及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体装置,其具有: 位于多个电极垫上的凸块、 覆盖所述凸块的抗蚀剂、和 在所述抗蚀剂的内部形成的、用于填充形成所述凸块的金属的开口部和将所述凸块与所述抗蚀剂的外部连通的空气的排孔,其中所述空气的排孔在与所述开口部不同的位置开口, 所述空气的排孔相对于所述电极垫沿实质上垂直方向设置。
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