台湾积体电路制造股份有限公司周仁钧获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利制造半导体器件的方法和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112670243B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010546254.9，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权制造半导体器件的方法和半导体器件是由周仁钧;程潼文设计研发完成，并于2020-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造半导体器件的方法和半导体器件在说明书摘要公布了：在用于制造半导体器件的方法中，在衬底上方形成鳍结构，在衬底上方形成隔离绝缘层，从而使得鳍结构的上部从隔离绝缘层突出，在鳍结构的上部上形成第一介电层，在第一介电层上形成覆盖层，从具有第一介电层的鳍结构的上部的上部分去除覆盖层，从鳍结构的上部的上部分去除第一介电层，在鳍结构的上部的上部分上形成第二介电层，以及在第二介电层和设置在鳍结构的上部的下部分上的第一介电层上形成栅电极。本发明的实施例还涉及半导体器件。
本发明授权制造半导体器件的方法和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括： 在衬底上方形成第一鳍结构和第二鳍结构； 在所述衬底上方形成隔离绝缘层，从而使得所述第一鳍结构和所述第二鳍结构的上部从所述隔离绝缘层突出，并且所述第一鳍结构和所述第二鳍结构的下部嵌在所述隔离绝缘层内； 形成所述隔离绝缘层后，在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构的上部上形成第一介电层； 在所述第一介电层上形成覆盖层； 从具有所述第一介电层的所述第一鳍结构的上部的上部分去除覆盖层； 从所述第一鳍结构的上部的上部分去除所述第一介电层； 在所述第一鳍结构的上部的上部分上形成第二介电层；以及 在所述第二介电层和所述第一介电层上形成栅电极，所述第一鳍结构和所述第二鳍结构的上部的下部分位于所述隔离绝缘层的上表面之上，其中，所述第一介电层设置在所述第一鳍结构的上部的下部分上并且设置在所述第二鳍结构的上部的下部分和上部分上，其中，所述第二介电层的厚度小于设置在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构上的所述第一介电层的厚度， 其中，所述上部的上部分的高度是从所述隔离绝缘层的上表面至所述第一鳍结构和所述第二鳍结构的最上表面测量的所述第一鳍结构和所述第二鳍结构的上部的高度的40%-60%。
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