美光科技公司C·蒂瓦里获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利存储器阵列和形成存储器阵列的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113113416B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011588414.2，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权存储器阵列和形成存储器阵列的方法是由C·蒂瓦里设计研发完成，并于2020-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器阵列和形成存储器阵列的方法在说明书摘要公布了：本申请案涉及存储器阵列和形成存储器阵列的方法。一种包括存储器单元串的存储器阵列包括横向间隔开的存储器块，所述横向间隔开的存储器块个别地包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层和导电层。操作性存储器单元柱的水平图案延伸通过存储器块中的个别存储器块中的所述绝缘层和所述导电层。所述操作性存储器单元柱具有固有压缩机械应力。所述个别存储器块中的至少一个虚设结构延伸通过所述绝缘层和所述导电层中的至少上部所述绝缘层和所述导电层。所述至少一个虚设结构是a和b中的至少一个，其中a：在所述水平图案的横向边缘处，及b：在所述水平图案的纵向端部处。所述至少一个虚设结构具有固有拉伸机械应力。公开包含方法的其它实施例。
本发明授权存储器阵列和形成存储器阵列的方法在权利要求书中公布了：1.一种包括存储器单元串的存储器阵列，包括： 横向间隔开的存储器块，其个别地包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层和导电层，操作性存储器单元柱的水平图案延伸通过所述存储器块中的个别存储器块中的所述绝缘层和所述导电层，所述操作性存储器单元柱具有固有压缩机械应力； 所述个别存储器块中的至少一个虚设结构，其延伸通过所述绝缘层和所述导电层中的至少上部所述绝缘层和所述导电层；所述至少一个虚设结构是以下各项中的至少一个：a和b，其中a：在所述水平图案的横向边缘处，及b：在所述水平图案的纵向端部处；所述至少一个虚设结构具有固有拉伸机械应力；及 其中所述至少一个虚设结构延伸通过所述绝缘层和所述导电层中的最上面的所述绝缘层和所述导电层并且不延伸通过所述绝缘层和所述导电层中的最低的所述绝缘层和所述导电层，空隙空间位于所述至少一个虚设结构正下方。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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