台湾积体电路制造股份有限公司余振华获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113314506B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110226977.5，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权半导体器件及其形成方法是由余振华;苏安治;叶德强;黄立贤;叶名世设计研发完成，并于2021-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：提供用于半导体器件的再分布结构及其形成方法。该半导体器件包括被密封剂密封的管芯，该管芯包括焊盘，以及电连接到该焊盘的连接件。该半导体器件还包括与连接件物理接触的第一通孔。该第一通孔在第一方向上与连接件横向偏移第一非零距离。该第一通孔具有锥形侧壁。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 管芯，被密封剂密封，所述管芯包括第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘和第四焊盘； 第一连接件，电连接到所述第一焊盘； 第二连接件，电连接到所述第二焊盘； 第三连接件，电连接到所述第三焊盘； 第四连接件，电连接到所述第四焊盘；以及 第一通孔，与所述第一连接件物理接触，所述第一通孔在第一方向上与所述第一连接件横向偏移第一非零距离，所述第一通孔具有锥形侧壁； 第二通孔，与所述第二连接件物理接触，所述第二通孔在与所述第一方向不同的第二方向上与所述第二连接件横向偏移第二非零距离； 第三通孔，与所述第三连接件物理接触，所述第三通孔在与所述第一方向和所述第二方向不同的第三方向上与所述第三连接件横向偏移第三非零距离； 第四通孔，与所述第四连接件物理接触，所述第四通孔完全落在所述第四连接件上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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