三星电子株式会社崔允硕获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体封装件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113327915B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011589873.2，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权半导体封装件是由崔允硕设计研发完成，并于2020-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装件在说明书摘要公布了：一种半导体封装件包括：上衬底，其具有彼此相对的第一表面和第二表面；下半导体芯片，其设置在上衬底的第一表面上；多个导电柱，其在下半导体芯片的至少一侧设置在上衬底的第一表面上；以及上半导体芯片，其设置在上衬底的第二表面上。下半导体芯片和多个导电柱连接到上衬底的第一表面，并且上半导体芯片连接到上衬底的第二表面。
本发明授权半导体封装件在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装件，包括： 上衬底，其具有彼此相对的第一表面和第二表面； 下半导体芯片，其设置在所述上衬底的第一表面上； 多个导电柱，其在所述下半导体芯片的至少一侧设置在所述上衬底的第一表面上；以及 上半导体芯片，其设置在所述上衬底的第二表面上， 其中，所述下半导体芯片和所述多个导电柱连接到所述上衬底的第一表面， 其中，所述上半导体芯片连接到所述上衬底的第二表面， 其中，所述上衬底是硅插入衬底，并且包括： 通孔层，其与所述上衬底的第二表面间隔开， 金属互连层，其与所述上衬底的第二表面相邻设置，并且插设于所述通孔层与所述上衬底的第二表面之间，以及 与所述第一表面相邻的第一上衬底焊盘和与所述第二表面相邻的第二上衬底焊盘，所述第一上衬底焊盘通过所述通孔层中的通孔和所述金属互连层中的金属互连线电连接至所述第二上衬底焊盘，并且 其中，所述半导体封装件还包括： 下衬底，其与所述上衬底的第一表面间隔开，其中，所述下半导体芯片和所述多个导电柱插设于所述下衬底与所述上衬底之间；以及 下再分布层，其位于所述下衬底与所述下半导体芯片之间以及所述下衬底与所述多个导电柱之间，其中，所述下半导体芯片和所述多个导电柱连接到所述下再分布层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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