三星电子株式会社崔允荣获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利制造半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113345802B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110226898.4，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权制造半导体器件的方法是由崔允荣;李东均;李相晤;朴相在设计研发完成，并于2021-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造半导体器件的方法在说明书摘要公布了：提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：提供衬底，在该衬底中，限定了包括第一单元区域和第一外围区域在内的主要区域、和包括第二单元区域和第二区域在内的边缘区域；在衬底上依次形成模制层、支撑件层、掩模层和初步图案层；对初步图案层曝光，以分别在第一单元区域和第二单元区域的掩模层上同时形成第一图案和第二图案；在第二图案上形成蚀刻停止层；以及使用蚀刻停止层和第一图案来蚀刻掩模层，以在第一单元区域的模制层和支撑件层中形成孔图案。
本发明授权制造半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括： 提供衬底，在所述衬底中限定了包括第一单元区域和第一外围区域在内的主区域、以及包括第二单元区域和第二外围区域在内的边缘区域； 在所述衬底上依次形成模制层、支撑件层、掩模层和初步图案层； 对所述初步图案层曝光，以分别在所述第一单元区域和所述第二单元区域的掩模层上同时形成第一图案和第二图案； 在所述第二单元区域和所述第二外围区域中形成覆盖所述第二图案的蚀刻停止层；以及 使用所述蚀刻停止层和所述第一图案来蚀刻所述掩模层，以在所述第一单元区域的模制层和支撑件层中形成孔图案。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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