三星电子株式会社许仁景获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体存储器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113410235B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110288110.2，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体存储器件及其制造方法是由许仁景;金孝燮;朴素贤;朴台镇;李承宪;崔允硕;韩成熙;黄有商设计研发完成，并于2021-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体存储器件及其制造方法，半导体存储器件包括：第一杂质区和第二杂质区，在半导体衬底中间隔开；位线，电连接到第一杂质区；存储节点接触部，电连接到第二杂质区；气隙，在位线与存储节点接触部之间；着落焊盘，电连接到存储节点接触部；掩埋介电图案，在着落焊盘的侧壁上且在气隙上；以及间隔物封盖图案，在掩埋介电图案与气隙之间。
本发明授权半导体存储器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器件，包括： 第一杂质区和第二杂质区，在半导体衬底中间隔开； 位线，电连接到所述第一杂质区； 存储节点接触部，电连接到所述第二杂质区； 气隙，在所述位线与所述存储节点接触部之间； 着落焊盘，电连接到所述存储节点接触部； 掩埋介电图案，在所述着落焊盘的侧壁上且在所述气隙上；以及 间隔物封盖图案，在所述掩埋介电图案与所述气隙之间， 其中，所述掩埋介电图案包括上掩埋介电图案和下掩埋介电图案，所述间隔物封盖图案在所述下掩埋介电图案与所述气隙之间，并且所述间隔物封盖图案沿所述下掩埋介电图案的侧表面延伸，以接触所述上掩埋介电图案的底表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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