爱思开海力士有限公司李南宰获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113517247B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011013407.X，技术领域涉及：H01L23/485；该发明授权半导体装置及其制造方法是由李南宰设计研发完成，并于2020-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括：第一半导体结构，其包括存储器阵列；与第一半导体结构间隔开的第二半导体结构，该第二半导体结构包括第一晶体管；在第一半导体结构和第二半导体结构之间的第一绝缘层；在第二半导体结构和第一绝缘层之间的第二绝缘层；电连接到存储器阵列的第一接合焊盘，该第一接合焊盘位于第一绝缘层中；以及电连接到第一晶体管的第二接合焊盘，该第二接合焊盘位于第二绝缘层中。第一接合焊盘和第二接合焊盘彼此接触。第一接合焊盘和第二接合焊盘的多个侧壁中的至少一个侧壁包括弯曲部分。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，该半导体装置包括： 包括存储器阵列的第一半导体结构； 与所述第一半导体结构间隔开的第二半导体结构，该第二半导体结构包括第一晶体管； 在所述第一半导体结构和所述第二半导体结构之间的第一绝缘层； 在所述第二半导体结构和所述第一绝缘层之间的第二绝缘层； 电连接到所述存储器阵列的第一接合焊盘，该第一接合焊盘位于所述第一绝缘层中；以及 电连接到所述第一晶体管的第二接合焊盘，该第二接合焊盘位于所述第二绝缘层中， 其中，所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘彼此接触， 其中，所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘中的至少一者包括具有平坦的侧壁的第一部分、具有平坦的侧壁的第二部分以及具有弯曲的侧壁且位于所述第一部分和所述第二部分之间的第三部分， 其中，所述第一接合焊盘的所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分形成在作为单层的所述第一绝缘层内，并且 其中，所述第一部分的宽度大于所述第二部分的宽度。
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