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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利半导体器件、终端、电子设备和衬底表面图案化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203530B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010912168.5，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权半导体器件、终端、电子设备和衬底表面图案化方法是由张宇;陈辰;宋佳慧设计研发完成，并于2020-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件、终端、电子设备和衬底表面图案化方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件，包括：衬底；修饰层，位于所述衬底的一表面上，经过局部曝光，所述修饰层包括曝光的部分和未被曝光的部分，未被曝光的部分具有基团A，曝光的部分具有由基团A转变形成的基团B；以及图案化的特性粒子层，位于所述修饰层远离所述衬底的表面上且局部覆盖未被曝光的部分，所述特性粒子层具有与所述基团A发生键合反应而不与所述基团B反应的基团C，所述特性粒子层与未被曝光的部分通过所述基团A和所述基团C的键合反应而结合。本申请还提供该种应用该半导体器件的终端和电子设备和一种衬底表面图案化方法。本申请的衬底表面图案化方法，所使用的材料简单，可以实现高分辨率、边沿粗糙度低的图案。

本发明授权半导体器件、终端、电子设备和衬底表面图案化方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 修饰层，位于所述衬底的一表面上，经过局部曝光，所述修饰层包括曝光的部分和未被曝光的部分，所述修饰层的未被曝光的部分具有基团A，所述修饰层的曝光的部分具有由所述基团A曝光而转变形成的基团B；以及 图案化的特性粒子层，位于所述修饰层远离所述衬底的表面上且覆盖所述修饰层的未被曝光的部分，所述特性粒子层具有与所述基团A发生键合反应而不与所述基团B反应的基团C，所述特性粒子层与所述修饰层的未被曝光的部分通过所述基团A和所述基团C的键合反应而结合， 所述修饰层的未被曝光的部分的材料具有化学通式：A—CaHbXc—E，其中X为第三、第四、第五、第六、第七主族元素中的一种或几种，其中45≧a≧1，90≧b≧1，90≧c≧0；所述基团E为含有端基的分子基团，所述端基为以下中的至少一种：氨基类端基、巯基类端基、可水解为硅羟基或羟基的端基； 当所述基团A为叠氮基，所述基团B为氨基； 当所述基团A为烯基，所述基团B为烷基； 当所述基团A为醛基，所述基团B为羟基； 当所述基团A为环氧基，所述基团B为羟基； 当所述基团A为，所述基团B为； 当所述基团A为，所述基团B为。

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