无锡中微晶园电子有限公司陈慧蓉获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡中微晶园电子有限公司申请的专利一种光电传感器的低成本制备方法及其结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114300557B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210128404.3，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权一种光电传感器的低成本制备方法及其结构是由陈慧蓉;陈全胜;张明;彭时秋;王涛;贺琪设计研发完成，并于2022-02-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光电传感器的低成本制备方法及其结构在说明书摘要公布了：本发明公开一种光电传感器的低成本制备方法，属于半导体工艺领域。本发明采用普注的方案在硅片表面形成一个与衬底相同掺杂类型的低掺杂层，替代原有的截止环，起到降低器件暗电流的作用。同时普注的注入剂量和能量对于光电器件的性能影响较大，尤其是对于击穿电压的影响。光敏面采用氧化的方案制备出氧化硅介质层，替代原有光刻后重新淀积光敏介质层的方案，最终实现将光电传感器五次光刻降低为只需要三次光刻，最终实现光电传感器制作成本的大幅度降低。
本发明授权一种光电传感器的低成本制备方法及其结构在权利要求书中公布了：1.一种光电传感器的低成本制备方法，其特征在于，包括： 步骤1、提供衬底，对其正表面进行一次薄氧工艺形成遮蔽层，使用第一掺杂剂对整个表面轻掺杂形成第一掺杂区域； 步骤2、在掺杂后的衬底表面制备出场氧化层； 步骤3、进行第一次光刻并腐蚀出第二掺杂窗口区域，使用第二掺杂剂进行掺杂形成第二掺杂区域； 步骤4、根据光响应要求在第二掺杂窗口区域表面氧化出氧化层； 步骤5、对第二掺杂窗口区域表面的氧化层进行第二次光刻，制备出接触孔； 步骤6、在正面淀积金属电极并进行第三次光刻，腐蚀出正面金属电极； 步骤7、在衬底背面淀积背面金属电极。
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