浙江英洛华磁业有限公司朱啸航获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江英洛华磁业有限公司申请的专利一种提高烧结磁体磁性能的扩散方法以及制得的高性能烧结NdFeB磁体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420436B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210105602.8，技术领域涉及：H01F41/02；该发明授权一种提高烧结磁体磁性能的扩散方法以及制得的高性能烧结NdFeB磁体是由朱啸航;达明花;许丁丁;胡校铭;王黎旭;付松设计研发完成，并于2022-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高烧结磁体磁性能的扩散方法以及制得的高性能烧结NdFeB磁体在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提高烧结磁体磁性能的扩散方法：在烧结NdFeB磁体基体表面覆盖一层碳膜，质量占比为磁体基体的0.2％～2.0％，涂有碳膜的磁体基体进行磁控溅射镀膜，镀上重稀土膜，重稀土的质量占比为磁体基体0.2％～4％，得到镀膜的磁体；镀膜的磁体进行晶界扩散处理，得到晶界扩散后的高性能烧结NdFeB磁体。本发明还公开了按照此方法制备得到的高性能烧结NdFeB磁体。本发明通过在磁体表面覆盖一层碳膜，并控制碳的重量，然后再进行重稀土晶界扩散，在减少Br降低量的同时提高重稀土扩散效果，最终可以得到一种高Br、高Hcj磁性能的稀土NdFeB磁体。
本发明授权一种提高烧结磁体磁性能的扩散方法以及制得的高性能烧结NdFeB磁体在权利要求书中公布了：1.一种提高烧结磁体磁性能的扩散方法，其特征在于所述方法包括如下步骤： 1在烧结NdFeB磁体基体表面利用多弧溅射法覆盖一层碳膜，碳膜的厚度为2~20um，质量占比为磁体基体的0.2%~2.0%，涂有碳膜的磁体基体进行磁控溅射镀膜，镀上重稀土膜，重稀土膜层的厚度为1um~30um，重稀土的质量占比为磁体基体0.2%~4%，得到镀膜的磁体；碳膜的质量占比和重稀土的质量占比需要满足在晶界扩散后的磁体中，碳含量为0.05%~0.30wt%，晶界扩散后重稀土的含量为0.11%~4%； 2镀膜的磁体进行晶界扩散处理，扩散温度在850℃~905℃，扩散时间在6h~12h，真空度在1.0*10-3Pa以上，晶界扩散后，冷却至室温再升温进行回火处理，得到晶界扩散后的高性能烧结NdFeB磁体。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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