荣耀终端有限公司余林蔚获国家专利权
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龙图腾网获悉荣耀终端有限公司申请的专利一种电子器件及其制作方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582974B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011376950.6，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种电子器件及其制作方法、电子设备是由余林蔚;张廷;刘宗光;王军转;刘俊彦;陈英杰;刘至哲;吴欣凯;刘云飞设计研发完成，并于2020-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电子器件及其制作方法、电子设备在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种电子器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域。用于在平面内生长纳米线。该电子器件可以包括衬底以及至少一条纳米线。其中，衬底上具有至少一条沟槽。纳米线嵌入沟槽内。该沟槽具有至少一个槽壁，一条纳米线沿沟槽的一个槽壁延伸，且与沟槽的槽底相接触。沟槽的槽壁具有导向作用，使得纳米线可以沿槽壁的延伸方向，在沟槽的槽底所在的平面内生长，有利于电子器件的大规模制作。上述沟槽的槽底所在的平面可以与电路板用于承载电子器件的表面平行。因此当纳米线在沟槽的槽底所在的平面内生长时，有利于电子器件在电路板上的大规模集成。
本发明授权一种电子器件及其制作方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种电子器件，其特征在于，包括： 衬底；所述衬底上具有至少一条沟槽； 至少一条纳米线；所述纳米线嵌入所述沟槽内；所述沟槽具有至少一个槽壁，一条所述纳米线沿所述沟槽的一个所述槽壁延伸，且与所述沟槽的槽底相接触； 每个所述沟槽内嵌入有两条所述纳米线；同一所述沟槽内的两条所述纳米线，分别沿所述沟槽相对的两个槽壁延伸；同一所述沟槽内的两条所述纳米线分别为第一纳米线和第二纳米线； 第二介质层，位于所述纳米线远离所述衬底的一侧，且覆盖所述衬底和所述纳米线；所述第二介质层和所述衬底之间形成用于容纳所述纳米线的容纳腔； 所述电子器件还包括设置于所述第二介质层内的隔离柱； 所述隔离柱位于所述第一纳米线和所述第二纳米线之间，所述隔离柱的介电常数小于所述第二介质层的介电常数。
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