长江存储科技有限责任公司张坤获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器及其制备方法、存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114613734B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210218488.X，技术领域涉及：H01L23/00；该发明授权三维存储器及其制备方法、存储系统是由张坤;周文犀设计研发完成，并于2022-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器及其制备方法、存储系统在说明书摘要公布了：本公开提供了一种三维存储器及其制备方法、存储系统。三维存储器包括：叠层结构和栅线间隙结构。栅线间隙结构沿堆叠方向贯穿叠层结构、并在垂直于堆叠方向的第一方向上延伸，其中至少一个栅线间隙结构包括加固结构，加固结构在第一方向上将该加固结构所在的栅线间隙结构分割为多段；以及加固结构包括半导体填充层和阻隔层，阻隔层分隔叠层结构与半导体填充层，并分隔栅线间隙结构与半导体填充层。在本公开提供的三维存储器中，至少一个栅线间隙结构中设置有加固结构，该加固结构包括阻隔层和半导体填充层，可为形成栅极层的过程中去除栅极牺牲层的操作提供结构支撑，因而可改善并释放三维存储器结构的局部应力，增加三维存储器结构的稳定性。
本发明授权三维存储器及其制备方法、存储系统在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器，其特征在于，包括： 叠层结构，包括沿堆叠方向交替叠置的多个栅极层和多个绝缘层；以及 栅线间隙结构，沿所述堆叠方向贯穿所述叠层结构、并在垂直于所述堆叠方向的第一方向上延伸， 其中，至少一个所述栅线间隙结构包括加固结构，所述加固结构在所述第一方向上将该加固结构所在的栅线间隙结构分割为多段；以及 所述加固结构包括半导体填充层和阻隔层，所述阻隔层包括第一阻隔层和第二阻隔层，所述第一阻隔层分隔所述叠层结构与所述半导体填充层，所述第二阻隔层分隔所述栅线间隙结构与所述半导体填充层。
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