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龙图腾网获悉中电化合物半导体有限公司申请的专利一种碳化硅晶锭表层缺陷的检测方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114813751B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210428553.1，技术领域涉及：G01N21/88；该发明授权一种碳化硅晶锭表层缺陷的检测方法和装置是由陈豆;艾玲令;马远;潘尧波设计研发完成，并于2022-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅晶锭表层缺陷的检测方法和装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳化硅晶锭表层缺陷的检测方法和装置，所述检测方法包括：将碳化硅晶锭放置在载物台上；预设波长的激光束通过反射三棱镜照射所述碳化硅晶锭的碳面、硅面和侧面；采用感光单元收集所述碳化硅晶锭的反射光；以及通过显影装置将所述反射光的信号显影出来，并依据显影出来的信号判断所述碳化硅晶锭的表面是否存在缺陷；其中，所述显影装置包括显影载体，所述显影载体接触所述感光单元。通过本发明提供的一种碳化硅晶锭表层缺陷的检测方法和装置，可提高碳化硅晶锭的检测准确性和检测效率。

本发明授权一种碳化硅晶锭表层缺陷的检测方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶锭表层缺陷的检测方法，其特征在于，包括： 将碳化硅晶锭放置在载物台上，所述碳化硅晶锭为生长后经清洗、切割或打磨处理的样品，或者为生长后未经处理的样品，用于检测碳化硅晶锭生长过程中存在的缺陷； 预设波长的激光束通过反射三棱镜照射所述碳化硅晶锭的碳面、硅面和侧面；所述激光束包括预设波长在350~650nm之间的单一波长激光中的一种或几种组成，所述激光束通过激光发射单元发射，所述单一波长激光依次通过所述反射三棱镜照射所述碳化硅晶锭的表面；所述单一波长激光的功率为30~500mW；所述反射三棱镜与所述激光发射单元位于同一平面内，以所述平面为基准，所述激光发射单元发射的激光束射入所述反射三棱镜的角度范围为-30~30°； 采用感光单元收集所述碳化硅晶锭的反射光，所述激光发射单元、所述反射三棱镜和所述感光单元位于所述载物台的同一侧，所述激光发射单元和所述感光单元位于所述反射三棱镜的两侧；以及 通过显影装置将所述反射光的信号显影出来，并依据显影出来的信号判断所述碳化硅晶锭的表面是否存在缺陷； 其中，所述显影装置包括显影载体，所述显影载体接触所述感光单元。

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