中国科学院半导体研究所翟慎强获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利大应变红外量子级联激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114883916B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210614027.4，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权大应变红外量子级联激光器及其制备方法是由翟慎强;孙永强;费腾;张锦川;刘俊岐;刘峰奇设计研发完成，并于2022-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本大应变红外量子级联激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种大应变红外量子级联激光器及其生长方法，自下而上包括：InP下波导层、量子阱级联层、InP上波导层；其中，量子阱级联层是多周期级联的，其每个周期包括：8～12周期的量子阱层势垒层，为InGaAsInAlAs超晶格材料；低应变InGaAs层；匹配InGaAs层。本公开的量子级联激光器通过在多个量子阱层势垒层周期间插入低应变InGaAs层阻断表面缺陷，插入匹配InGaAs层改善材料表面平整度，从而避免大应变材料生长过程中产生缺陷的积累，最终制备获得高质量外延材料。
本发明授权大应变红外量子级联激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种大应变红外量子级联激光器，其特征在于，自下而上包括： InP下波导层、量子阱级联层、InP上波导层；其中，所述量子阱级联层是多周期级联的，其每个周期包括： 8~12周期的量子级联激光器结构，为应变补偿的InGaAsInAlAs超晶格材料； 低应变InGaAs层； 匹配InGaAs层； 其中，所述低应变InGaAs层和所述匹配InGaAs层是掺杂的，掺杂浓度为2~5×1017cm-3； 所述InGaAsInAlAs超晶格材料为应变补偿的，其组分为InXGa1-XAsInYAl1-YAs，其中X≥0.7，Y≤0.3； 所述低应变InGaAs层的组分为InZGa1-ZAs，其中0.4＜Z＜0.45； 所述匹配InGaAs层的组分为In0.53Ga0.47As； 所述匹配InGaAs层的厚度为5~10nm； 所述量子阱级联层的激发波长为3~4μm。
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