中国科学院半导体研究所申占伟获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利一种MOS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115064595B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210776329.1，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种MOS器件及其制备方法是由申占伟;孙国胜;曾一平设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MOS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种MOS器件，包括：衬底；碳传输层，设置于所述衬底上表面的一侧，所述碳传输层中包含C元素；h‑BNC层，设置于所述衬底上表面的另一侧；缓冲层，设置于所述碳传输层和h‑BNC层的上方；所述缓冲层所用材料为h‑BN；防漏电层，设置于所述缓冲层的上方；所述防漏电层所用材料为Al2O3；源电极，设置于所述衬底的下表面；栅电极，设置于所述防漏电层的上方；隔离层，设置于所述碳传输层、h‑BNC层、缓冲层和防漏电层的一侧，上端接触所述栅电极，下端接触所述衬底。本公开中的MOS器件及其制备方法，通过在衬底上设置h‑BNC层，h‑BNC层带隙和迁移率可调，使得能衬底下表面可以产生高密度、高迁移率的导电载流子。
本发明授权一种MOS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MOS器件，其特征在于，包括： 衬底10； 碳传输层20，设置于所述衬底10上表面的一侧，所述碳传输层20中包含C元素； h-BNC层30，设置于所述衬底10上表面的另一侧； 缓冲层40，设置于所述碳传输层20和h-BNC层30的上方；所述缓冲层40所用材料为h-BN； 防漏电层50，设置于所述缓冲层40的上方；所述防漏电层50所用材料为Al2O3； 源电极70，设置于所述衬底10的下表面； 栅电极60，设置于所述防漏电层50的上方； 隔离层51，设置于所述碳传输层20、h-BNC层30、缓冲层40和防漏电层50的一侧，上端接触所述栅电极60，下端接触所述衬底10。
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