美光科技公司Y·M·杨获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利集成组合件和半导体存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084135B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111409861.1，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权集成组合件和半导体存储器装置是由Y·M·杨;M·K·阿赫塔尔;李厚容;黄祥珉;郭松设计研发完成，并于2021-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成组合件和半导体存储器装置在说明书摘要公布了：本申请是针对集成组合件和半导体存储器装置。一些实施例包括具有CMOS区的集成组合件，所述CMOS区具有沿着第一方向延伸的鳍片且具有跨所述鳍片延伸的选通结构。电路布置与所述CMOS区相关联且包括由具有缺失选通结构的中介区间隔开的一对所述选通结构。所述电路布置具有沿着所述第一方向的第一尺寸。第二区接近于所述CMOS区。导电结构与所述第二区相关联。所述导电结构中的一些与所述电路布置电耦合。第二尺寸为沿着所述第一方向跨所述导电结构中的所述一些的距离。所述导电结构和所述电路布置对准以使得所述第二尺寸与所述第一尺寸大体上相同。一些实施例包括形成集成组合件的方法。
本发明授权集成组合件和半导体存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种集成组合件，其包含： CMOS区；所述CMOS区包括沿着第一方向延伸的鳍片，且包括跨所述鳍片延伸且位于第一间距上的选通结构； 电路布置，其与所述CMOS区相关联且包含由包含缺失选通结构的中介区间隔开的一对所述选通结构；所述一对所述选通结构因此位于大于所述第一间距的延伸间距上；所述电路布置具有沿着所述第一方向的第一尺寸； 第二区，其接近所述CMOS区；以及 导电结构，其与所述第二区相关联且沿着与所述第一方向大体上正交的第二方向延伸；所述导电结构中的一些与所述电路布置电耦合；所述导电结构位于不同于所述第一间距的第二间距上；第二尺寸为沿着所述第一方向跨所述导电结构中的所述一些的距离；所述导电结构和所述电路布置对准以使得所述第二尺寸与所述第一尺寸大体上相同。
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