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龙图腾网获悉嘉兴斯达微电子有限公司申请的专利一种高密度自对准碳化硅MOS器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188674B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210833727.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种高密度自对准碳化硅MOS器件的制备方法是由陈雪萌;王艳颖;钱晓霞;汤艺设计研发完成，并于2022-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高密度自对准碳化硅MOS器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种高密度自对准碳化硅MOS器件的制备方法，涉及半导体技术领域，包括：在衬底上沉积第一多晶硅层以刻蚀后离子注入形成阱区；于第一多晶硅层周围生长二氧化硅层，随后依次沉积氮化硅层和第二多晶硅层形成第一叠层和第二叠层；将第一叠层和第二叠层的顶部区域划分为两个第一区域和第二区域，并刻蚀第二区域的第二多晶硅层，以及第一区域和第二区域的氮化硅层并对二氧化硅层进行刻蚀，以形成侧墙；以第一叠层和侧墙作为硬掩膜进行源区注入形成双重自对准的第一型源注入区；于第一区域的衬底上形成第二型源注入区；对应形成源极、栅极，以制备得到高密度自对准碳化硅MOS器件。有效减小了碳化硅MOS器件原胞的尺寸大小。

本发明授权一种高密度自对准碳化硅MOS器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种自对准碳化硅MOS器件的制备方法，其特征在于，包括： 步骤S1，提供一衬底，于所述衬底的上表面的两侧边缘分别沉积一第一多晶硅层作为硬掩膜对所述衬底进行刻蚀后离子注入形成一阱区； 步骤S2，于所述第一多晶硅层周围生长一二氧化硅层，随后依次沉积一氮化硅层和一第二多晶硅层，形成包含所述二氧化硅层、所述氮化硅层和所述第二多晶硅层的第一叠层，和位于所述第一叠层两侧的包含所述二氧化硅层和所述氮化硅层的第二叠层，所述第一叠层的顶部与所述第二叠层的顶部平齐； 步骤S3，沿有源区长度方向将所述第一叠层和所述第二叠层的顶部区域划分为两个第一区域和位于两个第一区域之间的第二区域，并刻蚀所述第二区域的所述第二多晶硅层，随后去除所述第一区域和所述第二区域的所述氮化硅层并对所述二氧化硅层进行刻蚀，以在两所述第一多晶硅层周围分别形成一侧墙； 步骤S4，于所述第一区域以所述第一叠层和两所述侧墙作为硬掩膜，于所述第二区域以两所述侧墙作为硬掩膜，进行源区注入形成双重自对准的第一型源注入区； 步骤S5，于所述第一区域的对应于所述第一叠层的位置的所述衬底上形成第二型源注入区； 步骤S6，基于所述第一型源注入区和所述第二型源注入区形成源极，形成多晶硅栅极，并于所述衬底的下表面形成漏极，以制备得到所述自对准碳化硅MOS器件。

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