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龙图腾网获悉广州集成电路技术研究院有限公司申请的专利半导体器件的制作方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115249648B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110460828.5，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体器件的制作方法及半导体器件是由苏廷锜;张峰溢;陈界得;黄崇哲;林盈志;黄柏竣设计研发完成，并于2021-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的制作方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请公开一种半导体器件的制作方法和半导体器件，所述制作方法包括：在一基板上设置多个栅极结构；在相邻的两个栅极结构之间的基板上设置第一介电层；在每个栅极结构的上表面上设置保护层，其中所述保护层完整地覆盖在栅极结构的上表面且不延伸至第一介电层上方；在所述第一介电层和所述保护层上设置第二介电层；在相邻的两个栅极结构之间的所述第一介电层和所述第二介电层中进行刻蚀工艺，以形成第一预定深度的空腔；在所述空腔中对应地设置一个接触导件。本申请还涉及一种半导体器件。

本发明授权半导体器件的制作方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括： 在一基板上设置多个栅极结构、有源结构和隔离区域； 在相邻的两个栅极结构之间的基板上设置第一介电层； 在每个栅极结构的上表面上设置保护层，其中所述保护层完整地覆盖在栅极结构的上表面且不延伸至第一介电层上方； 在所述第一介电层和所述保护层上设置第二介电层； 在相邻的两个栅极结构之间的所述第一介电层和所述第二介电层中以相同的刻蚀条件进行刻蚀工艺，以形成多个第一预定深度的空腔； 在所述空腔中对应地设置一个接触导件； 所述在每个栅极结构的上表面上设置保护层，包括： 通过基于所述第一介电层的自对准生长将所述第一介电层延伸第一预定高度，以使延伸后的相邻的两个第一介电层与在该相邻的两个第一介电层之间的栅极结构形成第一凹槽； 填充所述第一凹槽，以在所述栅极结构的上表面形成所述保护层； 所述通过基于所述第一介电层的自对准生长将所述第一介电层延伸第一预定高度，包括： 对所述第一介电层进行第一处理，以使相邻的两个栅极结构与在该相邻的两个栅极结构之间第一介电层形成第二预定深度的第二凹槽； 填充所述第二凹槽，以在第一处理后的第一介电层上方形成种子层，所述种子层的上表面与所述栅极结构的上表面在同一水平面； 通过自对准生长对所述种子层进行第二处理，以将所述种子层转换成预设层，其中所述预设层的上表面比所述栅极结构的上表面高出所述第一预定高度； 所述对所述种子层进行第二处理，以将所述种子层转换成预设层，包括： 对所述种子层进行热氧化工艺处理，以使所述种子层体积膨胀而形成所述预设层； 所述种子层材料为单质硅或硅化物材料。

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