中国科学院高能物理研究所郭志英获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院高能物理研究所申请的专利分析晶体的阳极键合方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115308241B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211104558.5，技术领域涉及：G01N23/20008；该发明授权分析晶体的阳极键合方法是由郭志英;陈栋梁;徐伟;刁千顺;李明;刘鹏;李晓东;陶冶设计研发完成，并于2022-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本分析晶体的阳极键合方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种分析晶体的阳极键合方法，包括：S1，湿法清洗衬底；S2，等离子体清洗经过湿法清洗的衬底和单晶晶片；及S3，通过阳极键合将经过等离子体清洗后的单晶晶片键合到衬底上。本发明结合湿法清洗和等离子体清洗实现在普通实验室大气环境下获得无灰尘、无碳氢沾污的干净硅片和硼硅玻璃衬底。随后，应用普通阳极键合装置既可获得无气泡分析晶体。本发明的方法不仅可以应用于球面晶体的制作，还包括平面、柱面、超环面、椭球面等二次或多次函数曲面晶体的制作。曲率半径涵盖180毫米～2米。
本发明授权分析晶体的阳极键合方法在权利要求书中公布了：1.一种分析晶体的阳极键合方法，其特征在于，包括： S1，湿法清洗衬底； S2，等离子体清洗经过湿法清洗的衬底和单晶晶片；及 S3，应用普通阳极键合装置通过阳极键合将经过等离子体清洗后的单晶晶片键合到经过等离子体清洗后的衬底上； 所述等离子体清洗在真空等离子体清洗机中进行，采用高纯氩气等离子体辉光放电，清洗600秒； 所述阳极键合包括将清洗后的单晶晶片和衬底边缘粘结，之后进行阳极键合。
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