上海华力集成电路制造有限公司苏莎获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利改善PMOS AC性能的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332081B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211022436.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权改善PMOS AC性能的方法是由苏莎设计研发完成，并于2022-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善PMOS AC性能的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种改善PMOSAC性能的方法，提供衬底，在衬底上形成有源区，有源区上形成有多个栅极结构以及形成与两栅极结构之间的外延层，栅极结构的侧壁形成有用于刻蚀保护的侧墙结构，外延层与栅极结构间形成有用于刻蚀保护的叠层；刻蚀去除叠层，用以形成凹槽；在衬底上形成覆盖栅极结构、外延层的低K介质层，使得低K介质层填充凹槽；在低K介质层上形成第一侧墙；刻蚀第一侧墙至目标厚度。本发明是将栅极与外延层间的填充层由：SIN层、氧化层、SiN层变成氮化硅层和氧化层，降低介质K值，改善了器件的AC性能。
本发明授权改善PMOS AC性能的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善PMOSAC性能的方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成有源区，所述有源区上形成有多个栅极结构以及形成与两所述栅极结构之间的外延层，所述栅极结构的侧壁形成有用于刻蚀保护的侧墙结构，所述外延层与所述栅极结构间形成有用于刻蚀保护的叠层，所述叠层由自下而上依次堆叠的第一氮化硅层、氧化层、第二氮化硅层组成； 步骤二、刻蚀去除所述叠层，用以形成凹槽； 步骤三、在所述衬底上形成覆盖所述栅极结构、所述外延层的低K介质层，使得所述低K介质层填充所述凹槽，所述低K介质层的材料为二氧化硅； 步骤四、在所述低K介质层上形成第一侧墙，所述第一侧墙的材料为氮化硅； 步骤五、刻蚀所述第一侧墙至目标厚度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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