深圳市电通材料技术有限公司王锐勋获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市电通材料技术有限公司申请的专利具有微结构腔室的封装基板及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115346880B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211006189.6，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权具有微结构腔室的封装基板及其制备方法是由王锐勋;王玉河设计研发完成，并于2022-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有微结构腔室的封装基板及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及封装基板制造技术领域，具体而言，涉及一种具有微结构腔室的封装基板及其制备方法。具有微结构腔室的封装基板的制备方法包括：提供具有第一金属层的基材板；在第一金属层上电镀形成第二金属层，其中，第二金属层包括多个间隔分布的柱体结构以及围设于多个柱体结构外周的边框结构；边框结构上开设有相变介质注入口；在第二金属层上形成金属盖板，以使金属盖板、边框结构以及第一金属层共同构成腔室；经相变介质注入口向腔室内灌注相变介质，并封闭腔室。本申请的具有微结构腔室的封装基板的制备方法，可有效降低将功率器件的热量传导至散热器件的热阻，使得单位体积可以封装更高的功率密度的功率器件。
本发明授权具有微结构腔室的封装基板及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有微结构腔室的封装基板的制备方法，其特征在于，包括： 提供具有第一金属层的基材板； 在所述第一金属层上电镀形成第二金属层；其中，所述第二金属层包括多个间隔分布的柱体结构以及围设于多个所述柱体结构外周的边框结构；所述边框结构上开设有相变介质注入口； 在所述第二金属层上形成金属盖板，以使所述金属盖板、所述边框结构以及所述第一金属层共同构成腔室； 经所述相变介质注入口向所述腔室内灌注相变介质，并封闭所述腔室； 所述基材板包括作为基底的陶瓷材料，所述第一金属层覆盖于所述基底上； 定义所述基底的厚度方向的两表面分别为第一表面和第二表面，当所述第一表面和所述第二表面上均覆盖所述第一金属层时，所述第二表面的所述腔室形成电路结构； 其中，所述第二表面上的所述第一金属层的形状与所述电路结构的形状对应。
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