福建省晋华集成电路有限公司洪银聪获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115346985B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210968713.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体存储器是由洪银聪;王嘉鸿;刘越;夏忠平设计研发完成，并于2022-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体存储器，包括设置在衬底的阵列区中的多个接触垫，以及设置在阵列区上的电容阵列结构。电容阵列结构包括多个电容分别设置在一所述接触垫上，以及一中间支撑层，水平延伸在所述多个电容的腰部之间，而将各所述电容分成上半部和下半部。邻近所述阵列区边缘的所述电容的所述下半部倾斜，使所述上半部与所述接触垫之间包括一错位。此设计可调节相邻电容阵列结构之间的应力，达到应力缓冲的功效。
本发明授权半导体存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器，其特征在于，包括： 一衬底，包括至少一阵列区； 一周边区，邻接所述阵列区的边缘； 多个接触垫，设置在所述阵列区中；以及 一电容阵列结构，设置在所述阵列区上并且包括： 多个电容，分别设置在一所述接触垫上；以及 一中间支撑层，水平延伸在所述多个电容的腰部之间，而将各所述电容分成上半部和下半部，其中邻近所述阵列区边缘的所述电容的所述下半部倾斜，使所述上半部与所述接触垫之间包括一错位，通过所述电容的上半部的上部轴线为直线； 一层间电介质层，设置在所述衬底与所述电容阵列结构之间。
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