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龙图腾网获悉飞锃半导体(上海)有限公司申请的专利具有肖特基二极管的半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115377207B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010116663.5，技术领域涉及：H10D64/23；该发明授权具有肖特基二极管的半导体器件及其制造方法是由张永杰;陈伟钿;周永昌;李浩南;孙倩设计研发完成，并于2020-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有肖特基二极管的半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了具有肖特基二极管的半导体器件及其制造方法。根据一实施例，半导体器件包括：基底，基底具有第一面和第二面；阱区；源区，源区位于阱区中；接触区，接触区与阱区和源区接触；肖特基区；以及源金属层，源金属层的第一部分与肖特基区接触形成肖特基二极管，在与第一面朝向第二面的方向相垂直的第一平面内，肖特基区被阱区和接触区包围。本发明还提供了制造半导体器件的方法。根据本发明的半导体器件开关速度快、芯片密度高、成本低。

本发明授权具有肖特基二极管的半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种具有肖特基二极管的半导体器件，其特征在于，包括： 第一导电类型的基底，所述基底具有第一面和第二面； 第二导电类型的阱区，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，所述阱区位于所述基底中并且从所述第一面朝向所述第二面的方向延伸； 第一导电类型的源区，所述源区位于所述阱区中并且从所述第一面朝向所述第二面的方向延伸； 第二导电类型的接触区，所述接触区位于所述基底中，并且从所述第一面朝向所述第二面的方向延伸，所述接触区与所述阱区和所述源区接触； 肖特基区，从所述第一面朝向所述第二面的方向延伸，所述肖特基区是所述基底的一部分；以及 源金属层，所述源金属层设置在所述第一面上，并且所述源金属层的第一部分与所述肖特基区接触形成肖特基二极管，在与所述第一面朝向所述第二面的方向相垂直的第一平面内，所述肖特基区被所述阱区和所述接触区包围； 在所述第一平面内，所述肖特基区的边界为四边形，所述四边形的第一相对边与所述阱区接触，所述四边形的第二相对边与所述接触区接触； 其中，所述四边形的第二相对边沿x方向，所述源金属层的源接触宽度等于所述接触区在所述第一平面内，沿所述x方向的宽度。

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