罗姆股份有限公司伊藤范和获国家专利权
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龙图腾网获悉罗姆股份有限公司申请的专利氮化物半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115428168B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180029895.X，技术领域涉及：H10D30/83；该发明授权氮化物半导体装置是由伊藤范和;田中岳利;中原健设计研发完成，并于2021-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化物半导体装置在说明书摘要公布了：氮化物半导体装置包括电子渡越层、形成在所述电子渡越层上的电子供给层、形成在所述电子供给层上且包含含有第一杂质的Al1‑xGaxN0X1系材料的栅极层、形成在所述栅极层上且与所述栅极层进行肖特基接合的栅极电极以及与所述电子供给层电连接的源极电极和漏极电极。根据该构成，能够提高栅极耐压，因此能够提供可靠性高的氮化物半导体装置。
本发明授权氮化物半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种氮化物半导体装置，包括： 电子渡越层， 电子供给层，其形成在所述电子渡越层上， 栅极层，其形成在所述电子供给层上并且包含含有第一杂质的Al1-xGaxN系材料，且0X1， 栅极电极，其形成在所述栅极层上并且与所述栅极层进行肖特基接合，以及 源极电极和漏极电极，其电连接至所述电子供给层； 所述电子渡越层包含GaN系材料， 所述电子供给层包含Al1-xGaxN系材料且0X1， 所述栅极层具有比所述电子供给层的Al组成比小的Al组成比。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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