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龙图腾网获悉电导魔方股份有限公司申请的专利具有增强紧固性的碳化硅结势垒肖特基二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115485859B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180033315.4，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权具有增强紧固性的碳化硅结势垒肖特基二极管是由庆信秀;南太镇;金银夏;徐廷允;姜兑咏设计研发完成，并于2021-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有增强紧固性的碳化硅结势垒肖特基二极管在说明书摘要公布了：公开了一种碳化硅结势垒肖特基二极管，该碳化硅结势垒肖特基二极管包括：第一导电型基板；第一导电型外延层，所述第一导电型外延层通过在所述第一导电型基板上的掺杂有第一导电型杂质的碳化硅的外延生长形成；电荷注入区域，所述电荷注入区域形成在所述第一导电型外延层上并掺杂有比所述第一导电型外延层的第一导电型杂质的浓度更高浓度的所述第一导电型杂质；第二导电型结区域，所述第二导电型结区域形成在所述第一导电型外延层上以接触所述电荷注入区域；肖特基金属层，所述肖特基金属层形成在所述电荷注入区域和所述第二导电型结区域上；阳极电极，所述阳极电极形成在所述肖特基金属层上；以及阴极电极，所述阴极电极形成在所述第一导电型基板下方。

本发明授权具有增强紧固性的碳化硅结势垒肖特基二极管在权利要求书中公布了：1.一种构成碳化硅结势垒肖特基二极管的有源区域的单位元，包括： 第一导电型基板； 第一导电型外延层，所述第一导电型外延层通过掺杂有第一导电型杂质的碳化硅在所述第一导电型基板上的外延生长而形成； 电荷注入区域，所述电荷注入区域由第二导电型结区域限定，所述第二导电型结区域通过将第二导电型杂质离子植入到第一导电型电荷注入层中而形成，所述第一导电型电荷注入层通过掺杂有比所述第一导电型外延层的第一导电型杂质的浓度更高浓度的所述第一导电型杂质的碳化硅在所述第一导电型外延层上的外延生长而形成； 肖特基金属层，所述肖特基金属层形成在所述电荷注入区域和所述第二导电型结区域上； 阳极电极，所述阳极电极形成在所述肖特基金属层上；以及 阴极电极，所述阴极电极形成在所述第一导电型基板下方， 其中，所述第一导电型电荷注入层包括具有不同的第一导电型杂质浓度的两个或更多个多外延层， 其中，在去往所述第一导电型外延层的方向上，根据参考浓度配置而定的所述两个或更多个多外延层的所述第一导电型杂质浓度减小。

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