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龙图腾网获悉日机装株式会社申请的专利氮化物半导体发光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115588719B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210792526.2，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权氮化物半导体发光元件是由松仓勇介;希利尔·贝诺设计研发完成，并于2022-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本氮化物半导体发光元件在说明书摘要公布了：提供能够提高发光输出的氮化物半导体发光元件。氮化物半导体发光元件具备：活性层，其具备至少1个阱层；p型半导体层，其位于活性层的一侧；以及电子阻挡层叠体，其位于活性层与p型半导体层之间。电子阻挡层叠体具有：第1电子阻挡层；以及第2电子阻挡层，其位于比第1电子阻挡层靠p型半导体层侧的位置，并且Al组成比小于第1电子阻挡层的Al组成比。在将活性层中的阱层的总数设为N，第1电子阻挡层的膜厚设为膜厚d[nm]，第2电子阻挡层的Al组成比设为Al组成比x[％]时，第1电子阻挡层的膜厚d满足0.1N+0.9≤d≤0.2N+2.0的关系，且第2电子阻挡层的Al组成比x满足10N+40≤x≤10N+60的关系。

本发明授权氮化物半导体发光元件在权利要求书中公布了：1.一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，具备： 活性层，其具备至少1个阱层； p型半导体层，其位于上述活性层的一侧；以及 电子阻挡层叠体，其位于上述活性层与上述p型半导体层之间， 上述电子阻挡层叠体具有：第1电子阻挡层；以及第2电子阻挡层，其位于比上述第1电子阻挡层靠上述p型半导体层侧的位置，并且Al组成比小于上述第1电子阻挡层的Al组成比， 在将上述活性层中的上述阱层的总数设为N，将上述第1电子阻挡层的膜厚设为膜厚d[nm]，将上述第2电子阻挡层的Al组成比设为Al组成比x[％]时，上述第1电子阻挡层的上述膜厚d满足0.1N+0.9≤d≤0.2N+2.0的关系，并且上述第2电子阻挡层的上述Al组成比x满足10N+40≤x≤10N+60的关系， 上述活性层具有多个上述阱层， 在将上述多个阱层之中的形成于离上述p型半导体层最远的位置的阱层设为最远阱层时，上述最远阱层的膜厚与上述多个阱层之中的上述最远阱层以外的阱层各自的膜厚相比大1nm以上，并且上述最远阱层的Al组成比与上述多个阱层之中的上述最远阱层以外的阱层各自的Al组成比相比大2％以上， 上述阱层的上述总数N为3， 上述第1电子阻挡层的上述膜厚d为1.7nm以上、2.1nm以下， 上述第2电子阻挡层的上述Al组成比x为65％以上、75％以下， 上述第1电子阻挡层的Al组成比为80％以上， 上述第2电子阻挡层的膜厚为10nm以上、30nm以下。

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